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1. (WO2018066483) 半導体素子

Pub. No.:    WO/2018/066483    International Application No.:    PCT/JP2017/035690
Publication Date: Fri Apr 13 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Sep 30 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/28
H01L 29/786
H01L 31/02
Applicants: TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY
国立大学法人東京工業大学
AGC INC.
AGC株式会社
Inventors: HOSONO, Hideo
細野 秀雄
KUMOMI, Hideya
雲見 日出也
WATANABE, Satoru
渡邉 暁
NAKAMURA, Nobuhiro
中村 伸宏
ITO, Kazuhiro
伊藤 和弘
MIYAKAWA, Naomichi
宮川 直通
Title: 半導体素子
Abstract:
n型Si部分と、該n型Si部分の上に配置された第1の層と、該第1の層の上に配置された第2の層と、前記第2の層の上に配置された電極層と、を有し、前記第1の層は、カルシウム原子およびアルミニウム原子を含む酸化物のエレクトライドで構成され、前記第2の層は、以下の群:(i)亜鉛(Zn)および酸素(O)を含み、さらに、ケイ素(Si)およびスズ(Sn)のうちの少なくとも1つを含む金属酸化物、(ii)チタン(Ti)および酸素(O)を含む金属酸化物、(iii)スズ(Sn)および酸素(O)を含む金属酸化物、ならびに(iv)亜鉛(Zn)および酸素(O)を含む金属酸化物、から選定される、半導体素子。