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1. (WO2018066322) エピタキシャルシリコンウェーハおよびエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法

Pub. No.:    WO/2018/066322    International Application No.:    PCT/JP2017/032846
Publication Date: Fri Apr 13 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Wed Sep 13 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/20
H01L 21/02
H01L 21/205
Applicants: SUMCO CORPORATION
株式会社SUMCO
Inventors: KODANI Kazuya
古谷 和也
ONO Toshiaki
小野 敏昭
TORIGOE Kazuhisa
鳥越 和尚
Title: エピタキシャルシリコンウェーハおよびエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
Abstract:
トリクロロシランのガス雰囲気において、エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法は、シリコンウェーハの表面にシリコンで構成されたエピタキシャル膜を形成するエピタキシャル膜形成工程と、エピタキシャル膜形成工程でエピタキシャル膜が形成されたシリコンウェーハを窒素雰囲気で熱処理してエピタキシャル膜上に窒化膜を形成し、この窒化膜からの内方拡散を利用してエピタキシャル膜表面の窒素濃度を設定する窒素濃度設定工程とを備えている。