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1. (WO2018066289) 半導体素子用基板、エッチング方法、及びエッチング液
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国際公開番号: WO/2018/066289 国際出願番号: PCT/JP2017/031845
国際公開日: 12.04.2018 国際出願日: 04.09.2017
IPC:
H01L 21/308 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/306 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
308
マスクを用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
出願人:
JSR株式会社 JSR CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区東新橋一丁目9番2号 9-2, Higashi-shinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058640, JP
発明者:
河本 達慶 KAWAMOTO, Tatsuyoshi; JP
山中 達也 YAMANAKA, Tatsuya; JP
金子 尚史 KANEKO, Hisashi; JP
代理人:
大渕 美千栄 OFUCHI, Michie; JP
布施 行夫 FUSE, Yukio; JP
松本 充史 MATSUMOTO, Mitsufumi; JP
優先権情報:
2016-19560803.10.2016JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR ELEMENT SUBSTRATE, ETCHING METHOD, AND ETCHING SOLUTION
(FR) SUBSTRAT D’ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE GRAVURE, ET SOLUTION DE GRAVURE
(JA) 半導体素子用基板、エッチング方法、及びエッチング液
要約:
(EN) Provided is a nitride semiconductor element manufacturing method wherein an altered layer formed to a nitride semiconductor layer by dry etching can be efficiently removed. A nitride semiconductor element manufactured by the manufacturing method is also provided. A semiconductor element substrate relating to the present invention is characterized in that: the semiconductor element substrate is provided with an AlxGa(1-x)N (0xGa(1-x)N (0
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'élément semi-conducteur au nitrure dans lequel une couche modifiée formée sur une couche semi-conductrice au nitrure par gravure sèche peut être efficacement éliminée. L'invention concerne également un élément semi-conducteur au nitrure fabriqué par le procédé de fabrication. Un substrat d'élément semi-conducteur se rapportant à la présente invention est caractérisé en ce que: le substrat d'élément semi-conducteur comprend une couche AlxGa(1-x)N (0<x≤1); et la valeur de MA/MG, c'est-à-dire le rapport entre un contenu en Al (MA) et un contenu en Ga (MG), qui sont obtenues par mesure de la surface de la couche AlxGa(1-x )N (0<x≤1) au moyen d'une spectroscopie photoélectronique à rayons X (XPS), est de 0,45 à 0,55. En outre, un procédé de gravure de couche d'AlGaN se rapportant à la présente invention est caractérisé en ce que la gravure humide est effectuée après la réalisation d'une gravure sèche.
(JA) 窒化物半導体層に対してドライエッチングにより形成された変質層を効率的に除去できる窒化物半導体素子の製造方法を提供する。また、該製造方法により製造された窒化物半導体素子を提供する。 本発明に係る半導体素子用基板は、AlGa(1-x)N(0<x≦1)層を備え、該AlGa1-xN(0<x≦1)層の表面をXPSで測定したAl含有量(MA)とGa含有量(MG)との比MA/MGの値が0.45~0.55であることを特徴とする。また、本発明に係るAlGaN層のエッチング方法は、ドライエッチングした後にウエットエッチングを行うことを特徴とする。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)