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1. (WO2018066256) 固体撮像素子および固体撮像装置
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国際公開番号: WO/2018/066256 国際出願番号: PCT/JP2017/030355
国際公開日: 12.04.2018 国際出願日: 24.08.2017
IPC:
H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 27/30 (2006.01) ,H04N 5/374 (2011.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
28
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる構成部品を含むもの
30
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射への感応に特に適用される構成部品を有するもの;輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するか,またはこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用される構成部品を有するもの
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
369
固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
374
アドレス型センサ,例.MOS型ないしはCMOS型センサ
出願人:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahicho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
発明者:
片岡 豊隆 KATAOKA, Toyotaka; JP
畑野 啓介 HATANO, Keisuke; JP
伊東 恭佑 ITO, Kyosuke; JP
代理人:
特許業務法人つばさ国際特許事務所 TSUBASA PATENT PROFESSIONAL CORPORATION; 東京都新宿区新宿1丁目15番9号さわだビル3階 3F, Sawada Building, 15-9, Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022, JP
優先権情報:
2016-19715105.10.2016JP
発明の名称: (EN) SOLID-STATE IMAGE PICKUP ELEMENT AND SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE
(FR) ÉLÉMENT DE CAPTURE D'IMAGE EN SEMICONDUCTEUR ET DISPOSITIF DE CAPTURE D'IMAGE EN SEMICONDUCTEUR
(JA) 固体撮像素子および固体撮像装置
要約:
(EN) According to one embodiment of the present invention, a solid-state image pickup element is provided with: a photoelectric conversion layer; an insulating layer, which is provided on one surface of the photoelectric conversion layer, and which has a first opening; and a pair of electrodes that are disposed facing each other by having the photoelectric conversion layer and the insulating layer therebetween. Out of the pair of electrodes, one electrode that is provided on the insulating layer side has a first electrode and a second electrode, which are independent from each other, and the first electrode buries the first opening that is provided in the insulating layer, said first electrode being electrically connected to the photoelectric conversion layer.
(FR) Un mode de réalisation de la présente invention concerne un élément de capture d'image en semiconducteurs comprenant : une couche de conversion photoélectrique ; une couche isolante, qui est disposée sur une surface de la couche de conversion photoélectrique et qui possède une première ouverture ; et une paire d'électrodes qui sont disposées l'une en face de l'autre en ayant la couche de conversion photoélectrique et la couche isolante entre elles. Parmi la paire d'électrodes, une électrode qui est disposée sur le côté de la couche isolante comprend une première électrode et une deuxième électrode, lesquelles sont indépendantes l'une de l'autre, et la première électrode enterre la première ouverture qui est disposée dans la couche isolante, ladite première électrode étant reliée électriquement à la couche de conversion photoélectrique.
(JA) 本開示の一実施形態の固体撮像素子は、光電変換層と、光電変換層の一方の面に設けられると共に、第1の開口を有する絶縁層と、光電変換層および絶縁層を間に対向配置された一対の電極とを備えたものであり、一対の電極のうち、絶縁層の側に設けられた一方の電極は、各々独立した第1の電極および第2の電極を有し、第1の電極は、絶縁層に設けられた第1の開口を埋設し、光電変換層と電気的に接続されている。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)