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1. (WO2018066247) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法
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国際公開番号: WO/2018/066247 国際出願番号: PCT/JP2017/030173
国際公開日: 12.04.2018 国際出願日: 23.08.2017
IPC:
G03F 7/039 (2006.01) ,G03F 7/004 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
039
光分解可能な高分子化合物,例.ポジ型電子レジスト
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
04
クロム酸塩
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20
露光;そのための装置
出願人:
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
発明者:
丸茂 和博 MARUMO Kazuhiro; JP
丹呉 直紘 TANGO Naohiro; JP
代理人:
中島 順子 NAKASHIMA Junko; JP
米倉 潤造 YONEKURA Junzo; JP
村上 泰規 MURAKAMI Yasunori; JP
優先権情報:
2016-19652104.10.2016JP
発明の名称: (EN) ACTIVE LIGHT SENSITIVE OR RADIATION SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM, PATTERN FORMING METHOD, AND ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE SENSIBLE À UNE LUMIÈRE ACTIVE OU À UN RAYONNEMENT ACTIF, FILM DE RÉSERVE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法
要約:
(EN) Provided are: an active light sensitive or radiation sensitive resin composition from which a resist film can be formed having excellent water repellency and having, after coming into contact with an alkali developing solution, improved hydrophilicity can be formed, and on which a pattern having an excellent LWR; a resist film; a pattern forming method; and an electronic device manufacturing method. This active light sensitive or radiation sensitive resin composition contains a resin A of which the solubility to an alkali developing solution is increased by an action of an acid, a compound B which generates an acid by being irradiated with active light or radiation, a resin C which has a surface energy exceeding 25 mJ/m2, which has at least fluorine atoms or silicon atoms, and which has a polarity conversion group, and a resin D which has a surface energy of 25 mJ/m2 or lower. The contained amount of the resin D is at least 1.1 mass% with respect to the total solid content of the active light sensitive or radiation sensitive resin composition.
(FR) L'invention concerne : une composition de résine sensible à une lumière active ou à un rayonnement actif, à partir de laquelle un film de réserve peut être formé qui possède une excellente propriété hydrofuge et présente, après mise en contact avec une solution de développement alcaline, une propriété hydrophile améliorée, et sur laquelle un motif présentant une excellente rugosité de largeur de ligne (LWR) peut être formé ; un film de réserve ; un procédé de formation de motif ; ainsi qu'un procédé de fabrication de dispositif électronique. Cette composition de résine sensible à une lumière active ou à un rayonnement actif contient une résine A dont la solubilité dans une solution de développement alcaline est augmentée par l'action d'un acide, un composé B qui génère un acide en étant soumis à un rayonnement à l'aide d'une lumière active ou d'un rayonnement actif, une résine C qui possède une énergie de surface supérieure à 25 mJ/m 2 , qui comprend au moins des atomes de fluor ou des atomes de silicium et comprend un groupe de conversion de polarité, ainsi qu'une résine D qui possède une énergie de surface de 25 mJ/m 2 ou moins. La quantité contenue de la résine D est d'au moins 1,1 %m par rapport au contenu solide total de la composition de résine sensible à une lumière active ou à un rayonnement actif.
(JA) 優れた撥水性を有しつつ、アルカリ現像液と接触した後に親水性が向上するレジスト膜を形成でき、かつ、LWRに優れたパターンを形成できる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法を提供する。感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂Aと、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物Bと、表面エネルギーが25mJ/m超であり、フッ素原子及び珪素原子の少なくとも一方を有し、かつ、極性変換基を有する樹脂Cと、表面エネルギーが25mJ/m以下である樹脂Dと、を含む、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、樹脂Dの含有量が、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分に対して、1.1質量%以上である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)