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1. (WO2018066217) 無電解パラジウム/金めっきプロセス
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国際公開番号: WO/2018/066217 国際出願番号: PCT/JP2017/028027
国際公開日: 12.04.2018 国際出願日: 02.08.2017
IPC:
C23C 18/18 (2006.01) ,C23C 18/44 (2006.01) ,H05K 3/18 (2006.01) ,H05K 3/24 (2006.01)
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
18
液状化合物または溶液のいずれかからなる被覆形成化合物の分解による化学的被覆であって表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの;接触メッキ
16
還元または置換によるもの,例.無電解メッキ
18
被覆される材料の前処理
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
18
液状化合物または溶液のいずれかからなる被覆形成化合物の分解による化学的被覆であって表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの;接触メッキ
16
還元または置換によるもの,例.無電解メッキ
31
金属による被覆
42
貴金属による被覆
44
還元剤を用いるもの
H 電気
05
他に分類されない電気技術
K
印刷回路;電気装置の箱体または構造的細部,電気部品の組立体の製造
3
印刷回路を製造するための装置または方法
10
導電性物質が希望する導電模様を形成するように絶縁支持部材に施されるもの
18
導電性物質を付着するのに沈でん技術を用いるもの
H 電気
05
他に分類されない電気技術
K
印刷回路;電気装置の箱体または構造的細部,電気部品の組立体の製造
3
印刷回路を製造するための装置または方法
22
印刷回路の2次的処理
24
導電模様の補強
出願人:
小島化学薬品株式会社 KOJIMA CHEMICALS CO., LTD. [JP/JP]; 埼玉県狭山市柏原337番地26 337-26 Kashiwabara, Sayama-shi, Saitama 3501335, JP
発明者:
加藤 友人 KATO, Tomohito; JP
渡邊 秀人 WATANABE, Hideto; JP
代理人:
吉村 勝博 YOSHIMURA, Katsuhiro; JP
優先権情報:
2016-19725705.10.2016JP
発明の名称: (EN) ELECTROLESS PALLADIUM/GOLD PLATING PROCESS
(FR) PROCÉDÉ DE PLACAGE PALLADIUM/OR AUTOCATALYTIQUE
(JA) 無電解パラジウム/金めっきプロセス
要約:
(EN) The present invention addresses the problem of providing an electroless palladium/gold plating process capable of forming a palladium/gold plating film selectively only on copper even on small single electrodes or narrow L/S wiring without the occurrence of defective palladium deposition. In order to solve said problem, an electroless palladium/gold plating process is characterized in being provided with: a step (S4) for adjusting the copper surface potential by immersing an insulating base material, the surface of which is provided with copper, in an aqueous sulfur-containing solution containing at least one kind of sulfur compound selected from a group consisting of thiosulfate salts and thiols; a step (S5) for performing electroless palladium plating on the insulating base material with adjusted copper surface potential to form a palladium plating film on the copper; and a step (S6) for performing electroless gold plating on the insulating base material in which a palladium plating film has been formed on the copper to form a gold plating film on the palladium plating film.
(FR) Le problème abordé par la présente invention est de pourvoir à un procédé de placage palladium/or autocatalytique capable de former sélectivement un film de placage palladium/or uniquement sur du cuivre même sur de petites électrodes individuelles ou un câblage L/S étroit sans risque de dépôt défectif de palladium. La solution selon l'invention porte sur un procédé de placage palladium/or autocatalytique caractérisé en ce qu'il comprend : une étape (S4) d'ajustement du potentiel de surface du cuivre par immersion d'un matériau de base isolant, dont la surface comprend du cuivre, dans une solution aqueuse contenant du soufre dont au moins un type de composé soufré choisi dans le groupe constitué par les sels de thiosulfate et les thiols ; une étape (S5) de réalisation d'un placage palladium autocatalytique sur le matériau de base isolant à potentiel de surface du cuivre ajusté pour former un film de placage palladium sur le cuivre ; et une étape (S6) de réalisation d'un placage or autocatalytique sur le matériau de base isolant sur lequel un film de placage palladium a été formé sur les parties cuivre pour former un film de placage or sur le film de placage palladium.
(JA) 本件発明の課題は、小型のシングル電極やL/Sが狭い配線に対してもパラジウム析出異常を発生させることなく、銅上にのみ選択的にパラジウム/金めっき皮膜を成膜することができる無電解パラジウム/金めっきプロセスを提供することにある。上記課題を解決するために、無電解パラジウム/金めっきプロセスは、前記表面に銅が設けられた絶縁基材を、チオ硫酸塩、チオールからなる群から選択される1種以上の硫黄化合物を含有する硫黄含有水溶液に浸漬することにより銅表面電位調整処理を行う工程(S4)と、前記銅の表面電位が調整された絶縁基材に対して無電解パラジウムめっき処理を行い、前記銅上にパラジウムめっき皮膜を成膜する工程(S5)と、前記銅上に前記パラジウムめっき皮膜が成膜された絶縁基材に対して無電解金めっき処理を行い、前記パラジウムめっき皮膜上に金めっき皮膜を成膜する工程(S6)とを備えることを特徴とする。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)