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1. (WO2018066172) レーザ照射装置、半導体装置の製造方法、及び、レーザ照射装置の動作方法
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国際公開番号: WO/2018/066172 国際出願番号: PCT/JP2017/020638
国際公開日: 12.04.2018 国際出願日: 02.06.2017
IPC:
H01L 21/268 (2006.01) ,G09F 9/00 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 21/677 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
26
波または粒子の輻射線の照射
263
高エネルギーの輻射線を有するもの
268
電磁波,例.レーザ光線,を用いるもの
G 物理学
09
教育;暗号方法;表示;広告;シール
F
表示;広告;サイン;ラベルまたはネームプレート;シール
9
情報が個別素子の選択または組合わせによって支持体上に形成される可変情報用の指示装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67
製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
677
移送のためのもの,例.異なるワ―クステーション間での移送
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
出願人:
株式会社日本製鋼所 THE JAPAN STEEL WORKS, LTD. [JP/JP]; 東京都品川区大崎一丁目11番1号 11-1, Osaki 1-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1410032, JP
発明者:
清水 良 SHIMIZU Ryo; JP
佐藤 亮介 SATO Ryosuke; JP
下地 輝昭 SHIMOJI Teruaki; JP
代理人:
家入 健 IEIRI Takeshi; JP
優先権情報:
2016-19649104.10.2016JP
発明の名称: (EN) LASER IRRADIATION DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR OPERATING LASER IRRADIATION DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IRRADIATION PAR LASER, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, ET PROCÉDÉ DE FONCTIONNEMENT D'UN DISPOSITIF D'IRRADIATION PAR LASER
(JA) レーザ照射装置、半導体装置の製造方法、及び、レーザ照射装置の動作方法
要約:
(EN) According to one embodiment of the present invention, a laser annealing device (1) is provided with: a laser oscillator (4) that generates a laser beam (L); a floating transfer stage (3) for floating and transferring a workpiece (W) to be irradiated with the laser beam (L); and a beam profiler (7) for measuring the beam profile of the laser beam (L). The floating transfer stage (3) has: a transfer surface (3a) facing the workpiece (W); and a lower surface (3b) on the reverse side of the transfer surface (3a). The beam profiler (7) is positioned below the lower surface (3b) of the floating transfer stage (3). The floating transfer stage (3) has an attachable/detachable section (12) as a part thereof. An opening (S) reaching the lower surface (3b) from the transfer surface (3a) is provided by removing the attachable/detachable section (12) from the floating transfer stage (3). The beam profiler (7) makes it possible to measure the beam profile of the laser beam (L) via the opening (S).
(FR) Selon un mode de réalisation de la présente invention, un dispositif de recuit laser (1) comprend : un oscillateur laser (4) qui produit un faisceau laser (L) ; un étage de transfert flottant (3) servant à faire flotter et à transférer une pièce (W) à irradier au moyen du faisceau laser (L) ; et un profileur de faisceau (7) servant à mesurer le profil de faisceau du faisceau laser (L). L'étage de transfert flottant (3) comporte : une surface de transfert (3a) en regard de la pièce (W) ; et une surface inférieure (3b) sur le côté opposé de la surface de transfert (3a). Le profileur de faisceau (7) est positionné au-dessous de la surface inférieure (3b) de l'étage de transfert flottant (3). L'étage de transfert flottant (3) comporte une section pouvant être fixée/démontée (12) en tant que partie intégrante de ce dernier. Une ouverture (S) atteignant la surface inférieure (3b) de la surface de transfert (3a) est formée par retrait de la section pouvant être fixée/démontée (12) de l'étage de transfert flottant (3). Le profileur de faisceau (7) permet de mesurer le profil de faisceau du faisceau laser (L) par le biais de l'ouverture (S).
(JA) 一実施の形態にかかるレーザアニール装置(1)は、レーザ光(L)を発生するレーザ発振器(4)と、レーザ光(L)が照射されるワーク(W)を浮上させて搬送するための浮上式搬送ステージ(3)と、レーザ光(L)のビームプロファイルを測定するためのビームプロファイラ(7)と、を備える。浮上式搬送ステージ(3)は、ワーク(W)と対向する搬送面(3a)と、搬送面(3a)と反対側の下面(3b)を有する。ビームプロファイラ(7)は、浮上式搬送ステージ(3)の下面(3b)の下方に位置している。浮上式搬送ステージ(3)は、その一部に取り外し可能な着脱部(12)を有する。着脱部(12)を浮上式搬送ステージ(3)から取り外すことにより、搬送面(3a)から下面(3b)に達する開口部(S)が設けられる。ビームプロファイラ(7)によって、開口部(S)を介して、レーザ光(L)のビームプロファイルを測定することが可能となる。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)