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1. (WO2018065861) ガラス基板の洗浄方法、半導体装置の作製方法、及びガラス基板
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

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国際公開番号:    WO/2018/065861    国際出願番号:    PCT/IB2017/055991
国際公開日: 12.04.2018 国際出願日: 29.09.2017
IPC:
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
出願人: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP)
発明者: YAMAZAKI, Shunpei; (JP).
SATO, Masataka; (--).
IDOJIRI, Satoru; (JP).
TAKASE, Natsuko; (JP)
優先権情報:
2016-198925 07.10.2016 JP
発明の名称: (EN) GLASS SUBSTRATE CLEANING METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND GLASS SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE NETTOYAGE DE SUBSTRAT DE VERRE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, ET SUBSTRAT DE VERRE
(JA) ガラス基板の洗浄方法、半導体装置の作製方法、及びガラス基板
要約: front page image
(EN)The purpose of the present invention is to reutilize glass substrates, and to increase semiconductor device mass productivity. A glass substrate comprises on one surface thereof a first material and a second material. The first material includes one or both of a metal and a metal oxide. The second material includes one or both of a resin and a resin degradation product. A glass substrate cleaning method comprises: a step of preparing a glass substrate comprising on one surface thereof a first material and a second material; and a step of removing at least a part of the second material to expose the first material.
(FR)Le but de la présente invention est de réutiliser des substrats de verre, et d'augmenter la productivité de masse de dispositifs à semi-conducteur. Un substrat de verre comprend un premier matériau et un second matériau sur une de ses surfaces. Le premier matériau comprend un métal et/ou un oxyde métallique. Le second matériau comprend une résine et/ou un produit de dégradation de résine. Un procédé de nettoyage de substrat de verre comprend : une étape de préparation d'un substrat de verre comprenant un premier matériau et un second matériau sur une de ses surfaces; et une étape d'élimination d'au moins une partie du second matériau pour exposer le premier matériau.
(JA)要約書 ガラス基板を再利用する。半導体装置の量産性を高める。 一方の面に第1の材料及び第2の材料を有するガラス基板である。 第1の材料は、 金属及び金属酸化 物のうち一方または双方を有する。 第2の材料は、 樹脂及び樹脂の分解物のうち一方または双方を有 する。 一方の面に第1の材料及び第2の材料を有するガラス基板を準備する工程と、 第2の材料の少 なくとも一部を除去し、前記第1の材料を露出させる工程と、を有するガラス基板の洗浄方法である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)