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1. (WO2018062318) SiC単結晶の製造方法及び製造装置、並びにSiC単結晶の製造に用いるシードシャフト

Pub. No.:    WO/2018/062318    International Application No.:    PCT/JP2017/035055
Publication Date: Fri Apr 06 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Thu Sep 28 01:59:59 CEST 2017
IPC: C30B 29/36
C30B 19/04
Applicants: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA
トヨタ自動車株式会社
Inventors: KUSUNOKI, Kazuhiko
楠 一彦
SEKI, Kazuaki
関 和明
DAIKOKU, Hironori
大黒 寛典
KADO, Motohisa
加渡 幹尚
DOI, Masayoshi
土井 雅喜
Title: SiC単結晶の製造方法及び製造装置、並びにSiC単結晶の製造に用いるシードシャフト
Abstract:
高品質で結晶厚みの大きいSiC単結晶を製造できる製造方法を提供する。製造方法は、シードシャフトの下端面に取り付けられた種結晶(8)の結晶成長面(81)をSi-C溶液(7)に接触させてSiC単結晶を成長させる、溶液成長法によるSiC単結晶の製造方法であって、坩堝(2)に収容された原料を加熱して溶融させ、Si-C溶液(7)を生成する工程と、結晶成長面(81)をSi-C溶液(7)に接触させ、結晶成長面(81)上にSiC単結晶を成長させる工程とを備える。シードシャフト(6)は、少なくとも、下端と下端から30mmの位置との間の領域(61)のうち、種結晶(8)が取り付けられる領域以外の領域において、表層のガス透過率が5×10-5m2/s以下である。