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1. (WO2018062305) 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法
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国際公開番号: WO/2018/062305 国際出願番号: PCT/JP2017/035022
国際公開日: 05.04.2018 国際出願日: 27.09.2017
予備審査請求日: 24.07.2018
IPC:
H01L 33/22 (2010.01) ,H01L 21/3065 (2006.01) ,H01L 33/32 (2010.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
半導体素子本体に特徴のあるもの
20
特定の形状を有するもの,例.湾曲または面取りされた基板
22
粗面,凹凸面,例.エピタキシャル層の界面にあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
半導体素子本体に特徴のあるもの
26
発光領域の材料
30
III族およびV族元素のみを有するもの
32
窒素を含むもの
出願人:
日機装株式会社 NIKKISO CO., LTD. [JP/JP]; 東京都渋谷区恵比寿4丁目20番3号 20-3, Ebisu 4-chome, Shibuya-ku Tokyo 1506022, JP
SCIVAX株式会社 SCIVAX CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県川崎市幸区新川崎7-7 NANOBIC NANOBIC bldg. 7-7 Shin-Kawasaki, Saiwai-Ku, Kawasaki-Shi Kanagawa 2120032, JP
発明者:
丹羽 紀隆 NIWA Noritaka; JP
稲津 哲彦 INAZU Tetsuhiko; JP
須崎 泰正 SUZAKI Yasumasa; JP
縄田 晃史 NAWATA Akifumi; JP
田中 覚 TANAKA Satoru; JP
代理人:
森下 賢樹 MORISHITA Sakaki; JP
優先権情報:
2016-19415330.09.2016JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT ÉMETTEUR DE LUMIÈRE À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’ÉLÉMENT ÉMETTEUR DE LUMIÈRE À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法
要約:
(EN) A semiconductor light-emitting element 10, provided with a light extraction layer (substrate 22) having a light extraction surface (main surface 22b). The light extraction layer has a plurality of cone-shaped parts 52 formed in an array shape on the light extraction surface, and a plurality of granular parts 56 formed on both the side surface sections of the cone-shaped parts 52 and flat parts located in valleys between adjacent cone-shaped parts 52. A method for manufacturing a semiconductor light-emitting element 10, provided with a step for forming a mask having an array-shaped pattern on a light extraction surface, and a step for etching the light extraction layer and a mask from above the mask. The step for etching includes a first dry-etching step for performing dry-etching until all of the mask is removed, and a second dry-etching step for further dry-etching the light extraction layer after the mask has been removed.
(FR) L'invention concerne un élément émetteur de lumière à semi-conducteur 10, pourvu d'une couche d'extraction de lumière (substrat 22) comprenant une surface d'extraction de lumière (surface principale 22b). La couche d'extraction de lumière comporte une pluralité de parties en forme de cône 52 agencées sous une forme de réseau sur la surface d'extraction de lumière, ainsi qu'une pluralité de parties granulaires 56 formées sur les deux sections de surface latérale des parties en forme de cône 52 et sur les parties plates situées dans les creux entre les parties en forme de cône adjacentes 52. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un élément émetteur de lumière à semi-conducteur 10, comprenant une étape consistant à former un masque à motif en forme de réseau sur une surface d'extraction de lumière, et une étape consistant à graver la couche d'extraction de lumière et un masque depuis le dessus du masque. L'étape de gravure comprend une première étape de gravure à sec consistant à effectuer une gravure à sec jusqu'à ce que tout le masque soit éliminé, et une seconde étape de gravure à sec consistant à graver à sec plus avant la couche d'extraction de lumière après l'élimination du masque.
(JA) 半導体発光素子10は、光取出面(主面22b)を有する光取出層(基板22)を備える。光取出層は、光取出面にアレイ状に形成される複数の錐形状部52と、錐形状部52の側面部および隣接する錐形状部52の谷間に位置する平坦部の双方に形成される複数の粒状部56と、を有する。半導体発光素子10の製造方法は、光取出層上にアレイ状のパターンを有するマスクを形成する工程と、マスクの上からマスクおよび光取出層をエッチングする工程とを備える。エッチングする工程は、マスクの全体が除去されるまでドライエッチングする第1ドライエッチング工程と、マスクが除去されてから光取出層をさらにドライエッチングする第2ドライエッチング工程とを含む。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)