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1. (WO2018062158) 太陽電池素子
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国際公開番号: WO/2018/062158 国際出願番号: PCT/JP2017/034704
国際公開日: 05.04.2018 国際出願日: 26.09.2017
IPC:
H01L 31/0224 (2006.01) ,H01L 31/0216 (2014.01) ,H01L 31/068 (2012.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
02
細部
0224
電極
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
02
細部
0216
被覆
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04
変換装置として使用されるもの
06
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
068
電位障壁がPNホモ接合型のみからなるもの,例.バルクシリコンPNホモ接合太陽電池または薄膜多結晶シリコンPNホモ接合太陽電池
出願人:
京セラ株式会社 KYOCERA CORPORATION [JP/JP]; 京都府京都市伏見区竹田鳥羽殿町6番地 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6128501, JP
発明者:
村尾 彰了 MURAO Akira; JP
松島 徳彦 MATSUSHIMA Norihiko; JP
代理人:
吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi; JP
有田 貴弘 ARITA Takahiro; JP
優先権情報:
2016-18950128.09.2016JP
発明の名称: (EN) SOLAR BATTERY ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE BATTERIE SOLAIRE
(JA) 太陽電池素子
要約:
(EN) This solar battery element is provided with: a semiconductor substrate; a passivation layer; a protective layer; a back surface bus bar electrode; and a back surface collection electrode. The semiconductor substrate has a first surface and a second surface. The passivation layer is in contact with the second surface. The protective layer is positioned on the passivation layer. The back surface bus bar electrode is in contact with the second surface at a first gap that penetrates the passivation layer and the protective layer, and positioned in such a manner as to sandwich a gap together with the passivation layer and the protective layer, in a first direction along the second surface. The back surface collection electrode has: an electrode layer part that is positioned on the protective layer; a first connection part that is positioned in the gap area and that connects the electrode layer part the second surface; and a second connection part that penetrates the passivation layer and the protective layer, that is positioned in a second gap, and that connects the electrode layer part and the second surface. The back surface collection electrode is electrically connected to the back surface bus bar electrode.
(FR) La présente invention concerne un élément de batterie solaire pourvu : d'un substrat semi-conducteur ; d'une couche de passivation ; d'une couche de protection ; d'une électrode de barre omnibus de surface arrière ; et d'une électrode de collecte de surface arrière. Le substrat semi-conducteur présente une première surface et une seconde surface. La couche de passivation est au contact de la seconde surface. La couche de protection est positionnée sur la couche de passivation. L'électrode de barre omnibus de surface arrière est en contact avec la seconde surface au niveau d'un premier espace qui pénètre dans la couche de passivation et la couche de protection, et est positionnée de manière à prendre en sandwich un espace avec la couche de passivation et la couche de protection, dans une première direction le long de la seconde surface. L'électrode de collecte de surface arrière comprend : une partie de couche d'électrode qui est positionnée sur la couche de protection ; une première partie de connexion qui est positionnée dans la zone d'espace et qui relie la partie de couche d'électrode à la seconde surface ; et une seconde partie de connexion qui pénètre dans la couche de passivation et la couche de protection, qui est positionnée dans un second espace, et qui relie la partie de couche d'électrode et la seconde surface. L'électrode de collecte de surface arrière est électriquement connectée à l'électrode de barre omnibus de surface arrière.
(JA) 太陽電池素子は、半導体基板とパッシベーション層と保護層と裏面バスバー電極と裏面集電電極とを備えている。半導体基板は、第1表面と第2表面とを有している。パッシベーション層は、第2表面に接している。保護層は、パッシベーション層上に位置している。裏面バスバー電極は、パッシベーション層と保護層とを貫通している第1間隙部において、第2表面に接しているとともに、第2表面に沿った第1方向において、パッシベーション層および保護層と、間隙領域を挟んでいる状態で位置している。裏面集電電極は、保護層上に位置している電極層部と、間隙領域に位置し、電極層部と第2表面とを接続している第1接続部と、パッシベーション層と保護層とを貫通しており且つ第2間隙部に位置し、電極層部と第2表面とを接続している第2接続部と、を有しており且つ裏面バスバー電極と電気的に接続している。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)