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1. (WO2018062053) 洗浄組成物、洗浄方法、及び半導体の製造方法
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国際公開番号: WO/2018/062053 国際出願番号: PCT/JP2017/034380
国際公開日: 05.04.2018 国際出願日: 22.09.2017
IPC:
C11D 3/37 (2006.01) ,C11D 1/12 (2006.01) ,C11D 1/62 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01) ,H01L 21/304 (2006.01) ,H01L 21/306 (2006.01)
C 化学;冶金
11
動物性または植物性油,脂肪,脂肪性物質またはろう;それに由来する脂肪酸;洗浄剤;ろうそく
D
洗浄性組成物;単一物質の洗浄剤としての使用;石けんまたは石けん製造;樹脂石けん;グリセリンの回収
3
1/00に包含される洗浄性組成物の他の配合成分
16
有機化合物
37
重合体
C 化学;冶金
11
動物性または植物性油,脂肪,脂肪性物質またはろう;それに由来する脂肪酸;洗浄剤;ろうそく
D
洗浄性組成物;単一物質の洗浄剤としての使用;石けんまたは石けん製造;樹脂石けん;グリセリンの回収
1
本質的に表面活性化合物を基とする洗浄剤組成物;その化合物の洗浄剤としての用途
02
陰イオン性化合物
12
スルホン酸または硫酸エステル;それらの塩
C 化学;冶金
11
動物性または植物性油,脂肪,脂肪性物質またはろう;それに由来する脂肪酸;洗浄剤;ろうそく
D
洗浄性組成物;単一物質の洗浄剤としての使用;石けんまたは石けん製造;樹脂石けん;グリセリンの回収
1
本質的に表面活性化合物を基とする洗浄剤組成物;その化合物の洗浄剤としての用途
38
陽イオン性化合物
62
第四級アンモニウム化合物
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
出願人:
東京応化工業株式会社 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 150, Nakamaruko, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2110012, JP
東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 東京都港区赤坂五丁目3番1号 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325, JP
発明者:
平野 勲 HIRANO Isao; JP
脇屋 和正 WAKIYA Kazumasa; JP
寺田 正一 TERADA Shoichi; JP
中村 淳司 NAKAMURA Junji; JP
戸島 孝之 TOSHIMA Takayuki; JP
代理人:
正林 真之 SHOBAYASHI Masayuki; JP
優先権情報:
2016-19509730.09.2016JP
発明の名称: (EN) CLEANING COMPOSITION, CLEANING METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR
(FR) COMPOSITION NETTOYANTE, PROCÉDÉ DE NETTOYAGE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 洗浄組成物、洗浄方法、及び半導体の製造方法
要約:
(EN) The purpose of the present invention is to provide: a cleaning composition which can remove a layer of interest satisfactorily using a conventional apparatus, such as a coater, a baking furnace (a curing furnace) and a cleaning chamber, installed in semiconductor manufacturing equipment while preventing the damage or deformation of layers other than the layer of interest, such as a substrate and an interlayer insulation film; a cleaning method using the cleaning composition; and a method for producing a semiconductor employing the cleaning method. A layer of interest formed on a substrate is cleaned with a cleaning composition containing a component (A) capable of decomposing the layer of interest and a film-forming polymer (B). An example of the layer of interest is a hard mask film. An example of the component (A) is at least one compound selected from a basic compound (A1) and an acidic compound (A2).
(FR) L’invention fournit : une composition nettoyante qui met en œuvre des dispositifs non spécifiques tels qu’un métier à enduire, un four de cuisson (four de durcissement) et une chambre de nettoyage installés dans un dispositif de fabrication de semi-conducteurs, et qui tout en inhibant l’endommagement ou la déformation d’une autre couche qu’une couche à traiter telle qu’un substrat ou un film isolant intercouche, permet de retirer de manière satisfaisante la couche à traiter ; un procédé de nettoyage mettant en œuvre cette composition nettoyante ; et un procédé de fabrication de semi-conducteurs mettant en œuvre ce procédé de nettoyage. La couche à traité formée sur un substrat, est nettoyée au moyen de la composition nettoyante qui comprend un composant (A) permettant de décomposer la couche à traiter, et un polymère de formation de film (B). Un film de masque dur peut être pris comme couche à traiter. Au moins un composé choisi parmi un composé basique (A1) et un composé acide (A2) peut être pris comme composant (A).
(JA) 半導体製造装置に搭載されているコーターやベーク炉(キュア炉)、洗浄チャンバーといった特別ではない装置を使用して、基板や層間絶縁膜等の被処理層以外の他の層のダメージや形状変化を抑制しつつ、被処理層を良好に除去できる洗浄組成物と、当該洗浄組成物を用いる洗浄方法と、当該洗浄方法を用いる半導体の製造方法とを提供すること。 被処理層を分解可能な成分(A)、及び、膜形成性ポリマー(B)を含有する洗浄組成物を用いて、基板上に形成された被処理層を洗浄する。被処理層としてはハードマスク膜が挙げられる。成分(A)としては、塩基性化合物(A1)、及び酸性化合物(A2)から選択される少なくとも1つが挙げられる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)