このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2018061969) 半導体装置およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/061969 国際出願番号: PCT/JP2017/034071
国際公開日: 05.04.2018 国際出願日: 21.09.2017
IPC:
H01L 29/786 (2006.01) ,C23C 14/08 (2006.01) ,C23C 14/58 (2006.01) ,G02F 1/1368 (2006.01) ,H01L 21/28 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 21/363 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06
被覆材料に特徴のあるもの
08
酸化物
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
58
後処理
G 物理学
02
光学
F
光の強度,色,位相,偏光または方向の制御,例.スイッチング,ゲーテイング,変調または復調のための装置または配置の媒体の光学的性質の変化により,光学的作用が変化する装置または配置;そのための技法または手順;周波数変換;非線形光学;光学的論理素子;光学的アナログ/デジタル変換器
1
独立の光源から到達する光の強度,色,位相,偏光または方向の制御のための装置または配置,例.スィッチング,ゲーテイングまたは変調;非線形光学
01
強度,位相,偏光または色の制御のためのもの
13
液晶に基づいたもの,例.単一の液晶表示セル
133
構造配置;液晶セルの作動;回路配置
136
半導体の層または基板と構造上組み合された液晶セル,例.集積回路の一部を構成するセル
1362
アクティブマトリックスセル
1368
スイッチング素子が三端子の素子であるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28
21/20~21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
34
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない21/06,21/16および21/18に分類されない半導体本体を有する装置
36
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
363
物理的析出を用いるもの,例.真空蒸着,スパッタリング
出願人:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
発明者:
鈴木 正彦 SUZUKI Masahiko; --
今井 元 IMAI Hajime; --
北川 英樹 KITAGAWA Hideki; --
菊池 哲郎 KIKUCHI Tetsuo; --
西宮 節治 NISHIMIYA Setsuji; --
上田 輝幸 UEDA Teruyuki; --
原 健吾 HARA Kengo; --
大東 徹 DAITOH Tohru; --
伊藤 俊克 ITOH Toshikatsu; --
代理人:
奥田 誠司 OKUDA Seiji; JP
優先権情報:
2016-18806727.09.2016JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置およびその製造方法
要約:
(EN) Provided is a semiconductor device that comprises a thin-film transistor 101 which includes a semiconductor layer 7, a gate electrode 3, a gate insulation layer 5, a source electrode 8, and a drain electrode 9. The semiconductor layer 7 has a layered structure that includes: a first oxide semiconductor layer 71 including indium and zinc, in which the atomic ratio of indium to all metal elements included in the first oxide semiconductor layer is greater than that of zinc; a second oxide semiconductor layer 72 including indium and zinc, in which the atomic ratio of zinc to all metal elements included in the second oxide semiconductor layer is greater than that of indium; and an intermediate oxide semiconductor layer 70 disposed between the first oxide semiconductor layer and the second oxide semiconductor layer. The first and second oxide semiconductor layers are crystalline oxide semiconductor layers; the intermediate oxide semiconductor layer is a non-crystalline oxide semiconductor layer; and the first oxide semiconductor layer 71 is disposed closer to the gate insulation layer 5 than the second oxide semiconductor layer 72.
(FR) L'invention concerne un dispositif semi-conducteur qui comprend un transistor à couche mince 101 qui comprend une couche semi-conductrice 7, une électrode de grille 3, une couche d'isolation de grille 5, une électrode de source 8 et une électrode de drain 9. La couche semi-conductrice 7 a une structure en couches qui comprend : une première couche semi-conductrice d'oxyde 71 comprenant de l'indium et du zinc, dans laquelle le rapport atomique de l'indium à tous les éléments métalliques compris dans la première couche semi-conductrice d'oxyde est supérieur à celui du zinc; une seconde couche semi-conductrice d'oxyde 72 comprenant de l'indium et du zinc, dans laquelle le rapport atomique du zinc à tous les éléments métalliques compris dans la seconde couche semi-conductrice d'oxyde est supérieur à celui de l'indium; et une couche semi-conductrice d'oxyde intermédiaire 70 disposée entre la première couche semi-conductrice d'oxyde et la seconde couche semi-conductrice d'oxyde. Les première et seconde couches semi-conductrices d'oxyde sont des couches semi-conductrices d'oxyde cristallin; la couche semi-conductrice d'oxyde intermédiaire est une couche semi-conductrice d'oxyde non cristallin; et la première couche semi-conductrice d'oxyde 71 est disposée plus près de la couche d'isolation de grille 5 que la seconde couche semi-conductrice d'oxyde 72.
(JA) 半導体装置は、半導体層7、ゲート電極3、ゲート絶縁層5、ソース電極8およびドレイン電極9を含む薄膜トランジスタ101を備え、半導体層7は、InおよびZnを含む第1の酸化物半導体層であって、第1の酸化物半導体層に含まれる全金属元素に対するInの原子数比はZnの原子数比よりも大きい、第1の酸化物半導体層71と、InおよびZnを含む第2の酸化物半導体層であって、第2の酸化物半導体層に含まれる全金属元素に対するZnの原子数比はInの原子数比よりも大きい、第2の酸化物半導体層72と、第1の酸化物半導体層と第2の酸化物半導体層との間に配置された中間酸化物半導体層70とを含む積層構造を有し、第1および第2の酸化物半導体層は結晶質酸化物半導体層であり、中間酸化物半導体層は非晶質酸化物半導体層であり、第1の酸化物半導体層71は、第2の酸化物半導体層72よりもゲート絶縁層5側に配置されている。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)