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1. (WO2018061898) 光センサとその形成方法
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国際公開番号: WO/2018/061898 国際出願番号: PCT/JP2017/033817
国際公開日: 05.04.2018 国際出願日: 20.09.2017
IPC:
H01L 31/10 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
08
輻射線が装置内を流れる電流を制御するもの,例.光―抵抗器(フォト―レジスター)
10
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの,例.フォトトランジスタ
出願人:
日本電気株式会社 NEC CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝五丁目7番1号 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001, JP
発明者:
南部 芳弘 NAMBU Yoshihiro; JP
代理人:
下坂 直樹 SHIMOSAKA Naoki; JP
優先権情報:
2016-18812327.09.2016JP
発明の名称: (EN) OPTICAL SENSOR AND METHOD FOR FORMING SAME
(FR) CAPTEUR OPTIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 光センサとその形成方法
要約:
(EN) In order to provide an optical sensor that is capable of obtaining both an optical trap effect and a moth eye effect with a single texture structure, a semiconductor optical sensor according to the present invention includes a light absorption medium that has a refractive index n and a thickness sufficiently less than a light transmission length, wherein the center wavelength to be observed is defined as λ. The semiconductor optical sensor is characterized by: having, in a light incident surface, a texture structure having a random surface direction and a typical structure scale d defined as in (λ/n)
(FR) Afin de fournir un capteur optique qui est capable d'obtenir à la fois un effet de piégeage optique et un effet d’œil de papillon avec une seule structure de texture, un capteur optique à semi-conducteur selon la présente invention comprend un milieu d'absorption de lumière qui a un indice de réfraction n et une épaisseur suffisamment inférieure à une longueur de transmission de lumière, la longueur d'onde centrale à observer étant définie comme λ. Le capteur optique à semi-conducteur est caractérisé : en ce qu'il présente, dans une surface d'incidence de lumière, une structure de texture ayant une direction de surface aléatoire et une échelle de structure typique d définie comme dans (λ/n) < d < λ ; et en ce qu'il est pourvu d'un réflecteur de lumière sur la surface sur le côté opposé de la surface d'incidence de lumière.
(JA) 本発明の目的は、単一のテクスチャ構造で光トラップ効果とモスアイ効果の両方とも得ることが可能な光センサを提供することである。そのために本発明の半導体光センサは、厚さが光浸透長よりも十分に薄い屈折率nの光吸収媒質を有し、観測目的中心波長がλである光センサであって、(λ/n)
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)