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1. (WO2018061851) アクティブマトリクス基板およびその製造方法

Pub. No.:    WO/2018/061851    International Application No.:    PCT/JP2017/033633
Publication Date: Fri Apr 06 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Wed Sep 20 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/336
G02F 1/1368
G09F 9/30
H01L 21/28
H01L 21/768
H01L 23/522
H01L 27/32
H01L 29/786
H01L 51/50
H05B 33/02
H05B 33/06
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA
シャープ株式会社
Inventors: KITAGAWA Hideki
北川 英樹
DAITOH Tohru
大東 徹
IMAI Hajime
今井 元
KIKUCHI Tetsuo
菊池 哲郎
SUZUKI Masahiko
鈴木 正彦
ITOH Toshikatsu
伊藤 俊克
UEDA Teruyuki
上田 輝幸
NISHIMIYA Setsuji
西宮 節治
HARA Kengo
原 健吾
Title: アクティブマトリクス基板およびその製造方法
Abstract:
アクティブマトリクス基板100の画素領域は、酸化物半導体層7を有する薄膜トランジスタ101と、薄膜トランジスタを覆う無機絶縁層11及び有機絶縁層12と、共通電極15と、窒化シリコンを主に含む誘電体層17と、画素電極19とを備え、無機絶縁層は酸化シリコン層と窒化シリコン層とを含む積層構造を有し、画素電極10は画素コンタクトホール内でドレイン電極9と接し、画素コンタクトホールは、無機絶縁層11、有機絶縁層12および誘電体層17にそれぞれ形成された第1開口部、第2開口部および第3開口部で構成され、第1開口部の側面と第2開口部の側面とは整合し、第2開口部の側面は、基板に対して第1の角度θ1で傾斜した第1部分121と、第1部分の上方に位置し、第1の角度よりも大きい第2の角度θ2で傾斜した第2部分122と、第1部分と第2部分との間に位置し、基板に対する傾斜角度が不連続に変化する境界120とを含む。