このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2018061819) 微結晶有機半導体膜、有機半導体トランジスタ、及び有機半導体トランジスタの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/061819 国際出願番号: PCT/JP2017/033407
国際公開日: 05.04.2018 国際出願日: 15.09.2017
IPC:
H01L 51/40 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 51/05 (2006.01) ,H01L 51/30 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
40
このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
30
材料の選択
出願人:
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
発明者:
後藤 崇 GOTO, Takashi; JP
福▲崎▼ 英治 FUKUZAKI, Eiji; JP
渡邉 哲也 WATANABE, Tetsuya; JP
代理人:
特許業務法人イイダアンドパートナーズ IIDA & PARTNERS; 東京都港区新橋3丁目1番10号 石井ビル3階 ISHII Bldg. 3F, 1-10, Shimbashi 3-chome, Minato-ku, Tokyo 1050004, JP
飯田 敏三 IIDA, Toshizo; JP
赤羽 修一 AKABA, Shuichi; JP
優先権情報:
2016-19191329.09.2016JP
発明の名称: (EN) MICROCRYSTALLINE ORGANIC SEMICONDUCTOR FILM, ORGANIC SEMICONDUCTOR TRANSISTOR, AND METHOD FOR PRODUCING ORGANIC SEMICONDUCTOR TRANSISTOR
(FR) FILM SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE MICRO-CRISTALLIN, TRANSISTOR À SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR À SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE
(JA) 微結晶有機半導体膜、有機半導体トランジスタ、及び有機半導体トランジスタの製造方法
要約:
(EN) [Problem] To provide: an organic semiconductor film which is capable of effectively inhibiting the formation and expansion of cracks, even if patterned or exposed to high heat; an organic semiconductor transistor in which the organic semiconductor film is used; and a method for producing the organic semiconductor transistor. [Solution] Provided are: a microcrystalline organic semiconductor film including a compound which has a molecular weight of 3000 or lower, and which is represented by general formula (1), the size of crystal domains in said microcrystalline organic semiconductor film being at least 1 nm, but not more than 100 nm; an organic semiconductor transistor in which the organic semiconductor film is used; and a method for producing the organic semiconductor transistor. X, Y, and Z represent specific ring-forming atoms. R1 and R2 each represent hydrogen, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, or a heteroaryl group. R3 and R4 each represent a halogen, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, or a heteroaryl group. m and n are integers in the range of 0-2.
(FR) La présente invention a pour but de fournir : un film semi-conducteur organique qui puisse inhiber efficacement la formation et l'expansion de fissures, même s'il est structuré ou exposé à une chaleur élevée ; un transistor à semi-conducteur organique dans lequel est utilisé le film semi-conducteur organique ; un procédé de fabrication du transistor à semi-conducteur organique. Pour atteindre ce but, la présente invention concerne : un film semi-conducteur organique micro-cristallin qui comprend un composé ayant un poids moléculaire de 3000 ou moins, et qui est représenté par la formule générale (1), la taille des domaines cristallins dans ledit film semi-conducteur organique micro-cristallin étant d'au moins 1 nm, mais non supérieure à 100 nm ; un transistor à semi-conducteur organique dans lequel est utilisé le film semi-conducteur organique ; un procédé de fabrication du transistor à semi-conducteur organique. X, Y et Z représentent des atomes formant un cycle spécifique. R1 et R2 représentent chacun de l'hydrogène, un groupe alkyle, un groupe alcényle, un groupe alcynyle, un groupe aryle ou un groupe hétéro-aryle. R3 et R4 représentent chacun un halogène, un groupe alkyle, un groupe alcényle, un groupe alcynyle, un groupe aryle ou un groupe hétéro-aryle. M et n sont des nombres entiers dans la plage de 0 à 2.
(JA) 【課題】 パターニングされても、また高熱に曝されても、亀裂の発生ないしは亀裂の広がりを効果的に抑えることができる有機半導体膜、この有機半導体膜を用いた有機半導体トランジスタ、及びこの有機半導体トランジスタの製造方法を提供する。 【解決手段】 下記一般式(1)で表わされる分子量3000以下の化合物を含み、結晶ドメインのサイズが1nm以上100nm以下にある微結晶有機半導体膜、この有機半導体膜を用いた有機半導体トランジスタ、及びこの有機半導体トランジスタの製造方法。 X、Y及びZは特定の環構成原子を示す。R及びRは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基又はヘテロアリール基を、R及びRはハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基又はヘテロアリール基を示す。m及びnは0~2の整数である。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)