WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2018061544) プロキシミティ露光方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2018/061544    国際出願番号:    PCT/JP2017/030198
国際公開日: 05.04.2018 国際出願日: 23.08.2017
IPC:
G03F 7/20 (2006.01), G03F 1/42 (2012.01)
出願人: V TECHNOLOGY CO., LTD. [JP/JP]; 134, Godo-cho, Hodogaya-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2400005 (JP)
発明者: TOGASHI Takumi; (JP).
HARADA Tomonori; (JP)
代理人: EIKOH PATENT FIRM, P.C.; Toranomon East Bldg. 10F, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
優先権情報:
2016-194981 30.09.2016 JP
発明の名称: (EN) PROXIMITY EXPOSURE METHOD
(FR) PROCÉDÉ D'EXPOSITION DE PROXIMITÉ
(JA) プロキシミティ露光方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a proximity exposure method wherein: a mask (M), in which mask patterns (31) larger than the resolution limit of a resist (R) are formed, is prepared with respect to a resist pattern (43) having the smallest pitch (P) that is equal to or smaller than the resolution limit of the resist (R); in a first exposure step, after the mask patterns (31) are transferred to a workpiece (W) by means of exposure, the mask (M) and the workpiece (W) are relatively step-moved by the pitch (P) of the resist pattern (43); and in a second exposure step, the mask patterns (31) are transferred again to the workpiece (W) by means of exposure.
(FR)L'invention concerne un procédé d'exposition de proximité comprenant : un masque (M), dans lequel des motifs de masque (31) supérieurs à la limite de résolution d'une réserve (R) sont formés, est préparé par rapport à un motif de réserve (43) possédant le plus petit pas (P) qui est égal ou inférieur à la limite de résolution de la réserve (R) ; dans une première étape d'exposition, après que les motifs de masque (31) sont transférés vers une pièce à travailler (W) au moyen d'une exposition, le masque (M) et la pièce à travailler (W) sont déplacés l'un par rapport à l'autre par le pas (P) du motif de réserve (43) ; et dans une seconde étape d'exposition, les motifs de masque (31) sont à nouveau transférés vers la pièce à travailler (W) au moyen d'une exposition.
(JA)プロキシミティ露光方法は、レジスト(R)の解像限界以下である最小ピッチ(P)を有するレジストパターン(43)に対して、レジスト(R)の解像限界より大きいマスクパターン(31)が形成されるマスク(M)を準備し、第1露光工程でマスクパターン(31)をワーク(W)に露光転写した後、マスク(M)とワーク(W)とをレジストパターン(43)のピッチ(P)分だけ相対的にステップ移動させて、第2露光工程でマスクパターン(31)をワーク(W)に再度露光転写する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)