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1. (WO2018061378) 半導体デバイス検査方法及び半導体デバイス検査装置
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国際公開番号: WO/2018/061378 国際出願番号: PCT/JP2017/024519
国際公開日: 05.04.2018 国際出願日: 04.07.2017
IPC:
G01R 31/302 (2006.01) ,G01N 21/00 (2006.01) ,G01N 21/17 (2006.01) ,H01L 21/66 (2006.01)
G 物理学
01
測定;試験
R
電気的変量の測定;磁気的変量の測定
31
電気的性質を試験するための装置;電気的故障の位置を示すための装置;試験対象に特徴のある電気的試験用の装置で,他に分類されないもの
28
電子回路の試験,例.シグナルトレーサーによるもの
302
非接触試験
G 物理学
01
測定;試験
N
材料の化学的または物理的性質の決定による材料の調査または分析
21
光学的手段,すなわち.赤外線,可視光線または紫外線を使用することによる材料の調査または分析
G 物理学
01
測定;試験
N
材料の化学的または物理的性質の決定による材料の調査または分析
21
光学的手段,すなわち.赤外線,可視光線または紫外線を使用することによる材料の調査または分析
17
調査される材料の特性に応じて入射光が変調されるシステム
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
66
製造または処理中の試験または測定
出願人:
浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 静岡県浜松市東区市野町1126番地の1 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558, JP
発明者:
中村 共則 NAKAMURA Tomonori; JP
大高 章弘 OTAKA Akihiro; JP
代理人:
長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki; JP
黒木 義樹 KUROKI Yoshiki; JP
柴山 健一 SHIBAYAMA Kenichi; JP
優先権情報:
2016-18978428.09.2016JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE INSPECTION METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE INSPECTION APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ D'INSPECTION DE DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS ET APPAREIL D'INSPECTION DE DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体デバイス検査方法及び半導体デバイス検査装置
要約:
(EN) Provided is a semiconductor device inspection method for inspecting a semiconductor device, i.e., an object to be inspected, the method including: a step for inputting a stimulus signal to the semiconductor device; a step for obtaining a detection signal corresponding to the response of the semiconductor device to which the stimulus signal has been inputted; a step for generating, on the basis of the detection signal and a reference signal generated on the basis of the stimulus signal, a first in-phase image and first orthogonal image including amplitude information and phase information for the detection signal; and a step for applying a noise-reducing filter process to the first in-phase image and/or first orthogonal image, followed by generating a first amplitude image on the basis of the first in-phase image and the first orthogonal image.
(FR) L'invention concerne un procédé d'inspection de dispositif à semi-conducteurs pour inspecter un dispositif à semi-conducteurs, c'est-à-dire un objet à inspecter, le procédé comprenant : une étape consistant à entrer un signal de stimulus dans le dispositif à semi-conducteurs ; une étape consistant à obtenir un signal de détection correspondant à la réponse du dispositif à semi-conducteurs dans lequel a été entré le signal de stimulus ; une étape de génération, sur la base du signal de détection et d'un signal de référence généré sur la base du signal de stimulus, d'une première image en phase et d'une première image orthogonale comprenant des informations d'amplitude et des informations de phase pour le signal de détection ; et une étape consistant à appliquer un procédé de filtrage de réduction de bruit à la première image en phase et/ou à la première image orthogonale, suivie par la génération d'une première image d'amplitude sur la base de la première image en phase et de la première image orthogonale.
(JA) 被検査体である半導体デバイスの検査を行う半導体デバイス検査方法であって、半導体デバイスに刺激信号を入力するステップと、刺激信号が入力された半導体デバイスの反応に応じた検出信号を取得するステップと、検出信号と、刺激信号に基づいて生成される参照信号とに基づいて、検出信号における振幅情報及び位相情報を含む第1の同相像及び第1の直交像を生成するステップと、第1の同相像及び第1の直交像の少なくとも一方に対してノイズを低減するフィルタ処理を施した後、当該第1の同相像及び当該第1の直交像に基づいて第1の振幅像を生成するステップと、を含む。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)