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1. (WO2018061337) シリコンウェーハの評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ
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国際公開番号: WO/2018/061337 国際出願番号: PCT/JP2017/021885
国際公開日: 05.04.2018 国際出願日: 14.06.2017
IPC:
H01L 21/66 (2006.01) ,G01N 21/956 (2006.01) ,G01Q 60/24 (2010.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
66
製造または処理中の試験または測定
G 物理学
01
測定;試験
N
材料の化学的または物理的性質の決定による材料の調査または分析
21
光学的手段,すなわち.赤外線,可視光線または紫外線を使用することによる材料の調査または分析
84
特殊な応用に特に適合したシステム
88
きず,欠陥,または汚れの存在の調査
95
調査対象物の材質や形に特徴付けられるもの
956
物体表面のパターンの検査
G 物理学
01
測定;試験
Q
走査プローブ技術または装置;走査プローブ技術の応用,例.走査プローブ型顕微鏡[2010.01]
60
特定の型のSPMまたはそのための装置;その基本的な構成部品
24
AFMまたはそのための装置,例.AFM用のプローブ
出願人:
株式会社SUMCO SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝浦一丁目2番1号 1-2-1 Shibaura, Minato-ku, Tokyo 1058634, JP
発明者:
森 敬一朗 MORI Keiichiro; JP
代理人:
特許業務法人特許事務所サイクス SIKS & CO.; 東京都中央区京橋一丁目8番7号 京橋日殖ビル8階 8th Floor, Kyobashi-Nisshoku Bldg., 8-7, Kyobashi 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040031, JP
優先権情報:
2016-19121229.09.2016JP
発明の名称: (EN) SILICON WAFER EVALUATION METHOD, SILICON WAFER MANUFACTURING PROCESS EVALUATION METHOD, SILICON WAFER MANUFACTURING METHOD, AND SILICON WAFER
(FR) PROCÉDÉ D'ÉVALUATION DE GALETTE EN SILICIUM, PROCÉDÉ D'ÉVALUATION DE PROCESSUS DE FABRICATION DE GALETTE EN SILICIUM, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE GALETTE EN SILICIUM ET GALETTE EN SILICIUM
(JA) シリコンウェーハの評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ
要約:
(EN) Provided is a silicon wafer evaluation method including: a first determination for determining whether or not there is an abnormality, through inspecting the surface of a silicon wafer to be evaluated by a light scattering type surface inspection device; and a second determination for determining whether or not there is an abnormality, through observing, by an atomic force microscope, an area, of the surface of the silicon wafer to be evaluated, where the presence of an abnormality has not been confirmed in the first determination.
(FR) L'invention concerne un procédé d'évaluation de galette en silicium comprenant : une première détermination destinée à déterminer s'il existe ou non une anomalie, par inspection de la surface d'une galette en silicium à évaluer par un dispositif d'inspection de surface de type à diffusion de lumière; et une deuxième détermination destinée à déterminer s'il existe ou non une anomalie, par l'observation à l'aide d'un microscope à force atomique d'une zone de la surface de la galette en silicium à évaluer où la présence d'une anomalie n'a pas été confirmée lors de la première détermination.
(JA) 評価対象シリコンウェーハの表面を光散乱式表面検査装置によって検査して異常種の存在の有無を判定する第一の判定、および、評価対象シリコンウェーハの表面の第一の判定において異常種の存在が確認されなかった領域を原子間力顕微鏡によって観察して異常種の存在の有無を判定する第二の判定を含むシリコンウェーハの評価方法が提供される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)