JP2017021885 シリコンウェーハの評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ

1. (WO2018061337) シリコンウェーハの評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ

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国際公開番号:		WO/2018/061337		国際出願番号:		PCT/JP2017/021885
国際公開日:		05.04.2018		国際出願日:		14.06.2017

IPC:

H01L 21/66 (2006.01), G01N 21/956 (2006.01), G01Q 60/24 (2010.01)

出願人:

SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 1-2-1 Shibaura, Minato-ku, Tokyo 1058634 (JP)

発明者:

MORI Keiichiro; (JP)

代理人:

SIKS & CO.; 8th Floor, Kyobashi-Nisshoku Bldg., 8-7, Kyobashi 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040031 (JP)

優先権情報:

2016-191212

29.09.2016

発明の名称:

(EN) SILICON WAFER EVALUATION METHOD, SILICON WAFER MANUFACTURING PROCESS EVALUATION METHOD, SILICON WAFER MANUFACTURING METHOD, AND SILICON WAFER
(FR) PROCÉDÉ D'ÉVALUATION DE GALETTE EN SILICIUM, PROCÉDÉ D'ÉVALUATION DE PROCESSUS DE FABRICATION DE GALETTE EN SILICIUM, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE GALETTE EN SILICIUM ET GALETTE EN SILICIUM
(JA) シリコンウェーハの評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ

要約:

(EN)Provided is a silicon wafer evaluation method including: a first determination for determining whether or not there is an abnormality, through inspecting the surface of a silicon wafer to be evaluated by a light scattering type surface inspection device; and a second determination for determining whether or not there is an abnormality, through observing, by an atomic force microscope, an area, of the surface of the silicon wafer to be evaluated, where the presence of an abnormality has not been confirmed in the first determination.
(FR)L'invention concerne un procédé d'évaluation de galette en silicium comprenant : une première détermination destinée à déterminer s'il existe ou non une anomalie, par inspection de la surface d'une galette en silicium à évaluer par un dispositif d'inspection de surface de type à diffusion de lumière; et une deuxième détermination destinée à déterminer s'il existe ou non une anomalie, par l'observation à l'aide d'un microscope à force atomique d'une zone de la surface de la galette en silicium à évaluer où la présence d'une anomalie n'a pas été confirmée lors de la première détermination.
(JA)評価対象シリコンウェーハの表面を光散乱式表面検査装置によって検査して異常種の存在の有無を判定する第一の判定、および、評価対象シリコンウェーハの表面の第一の判定において異常種の存在が確認されなかった領域を原子間力顕微鏡によって観察して異常種の存在の有無を判定する第二の判定を含むシリコンウェーハの評価方法が提供される。

指定国:

AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).

国際公開言語:	Japanese (JA)
国際出願言語:	Japanese (JA)

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