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1. (WO2018061334) アバランシェフォトダイオード
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国際公開番号: WO/2018/061334 国際出願番号: PCT/JP2017/021652
国際公開日: 05.04.2018 国際出願日: 12.06.2017
予備審査請求日: 13.12.2017
IPC:
H01L 31/107 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
08
輻射線が装置内を流れる電流を制御するもの,例.光―抵抗器(フォト―レジスター)
10
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの,例.フォトトランジスタ
101
赤外線,可視光線または紫外線の放射に感応する装置
102
唯一の電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
107
電位障壁がアバランシェモードで作用するもの,例.アバランシェフォトダイオード
出願人:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
発明者:
瀧本 貴博 TAKIMOTO, Takahiro; --
夏秋 和弘 NATSUAKI, Kazuhiro; --
内田 雅代 UCHIDA, Masayo; --
代理人:
鮫島 睦 SAMEJIMA, Mutsumi; JP
山崎 敏行 YAMASAKI, Toshiyuki; JP
優先権情報:
2016-19207429.09.2016JP
発明の名称: (EN) AVALANCHE PHOTODIODE
(FR) PHOTODIODE À AVALANCHE
(JA) アバランシェフォトダイオード
要約:
(EN) This avalanche photodiode includes: a first-conductivity-type semiconductor layer (2) that is formed in a semiconductor substrate (1) of a first conductivity type; a first second-conductivity-type semiconductor layer (3) that is formed so as to surround the first-conductivity-type semiconductor layer (2) with a space therebetween in a plan view of the substrate; a second second-conductivity-type semiconductor layer (5) that is formed at a position deeper than that of the first-conductivity-type semiconductor layer (2) so as to be in contact with the bottom of the first-conductivity-type semiconductor layer (2); and a third second-conductivity-type semiconductor layer (6) that is formed at a position deeper than that of the second second-conductivity-type semiconductor layer (5) so as to be in contact with the bottom of the second second-conductivity-type semiconductor layer (5). The first-conductivity-type semiconductor layer (2) and the second second-conductivity-type semiconductor layer (5) form an avalanche junction. The first and third second-conductivity-type semiconductor layers (3, 6) are connected such that the semiconductor substrate (1) and the first-conductivity-type semiconductor layer (2) are electrically separated.
(FR) Une photodiode à avalanche comprend : une couche semi-conductrice de premier type de conductivité (2) formée dans un substrat semi-conducteur (1) d'un premier type de conductivité ; une première couche semi-conductrice de second type de conductivité (3) qui est formée de manière à entourer la couche semi-conductrice de premier type de conductivité (2), un espace étant ménagé entre celles-ci dans une vue en plan du substrat ; une deuxième couche semi-conductrice de second type de conductivité (5) qui est formée à une position plus profonde que la position de la couche semi-conductrice de premier type de conductivité (2) de manière à être en contact avec le fond de la couche semi-conductrice de premier type de conductivité (2) ; et une troisième couche semi-conductrice de second type de conductivité (6) qui est formée à une position plus profonde que la position de la deuxième couche semi-conductrice de second type de conductivité (5) de manière à être en contact avec le fond de la deuxième couche semi-conductrice de second type de conductivité (5). La couche semi-conductrice de premier type de conductivité (2) et la deuxième couche semi-conductrice de second type de conductivité (5) forment une jonction à avalanche. Les première et troisième couches semi-conductrices de second type de conductivité (3, 6) sont connectées de telle sorte que le substrat semi-conducteur (1) et la couche semi-conductrice de premier type de conductivité (2) sont électriquement séparés.
(JA) アバランシェフォトダイオードは、第1導電型の半導体基板(1)内に形成された第1導電型半導体層(2)と、基板平面視において第1導電型半導体層(2)を間隔をあけて囲むように形成された第1の第2導電型半導体層(3)と、第1導電型半導体層(2)よりも深い位置に、第1導電型半導体層(2)の底部に接するように形成された第2の第2導電型半導体層(5)と、第2の第2導電型半導体層(5)よりも深い位置に、第2の第2導電型半導体層(5)の底部に接するように形成された第3の第2導電型半導体層(6)を有する。第1導電型半導体層(2)と第2の第2導電型半導体層(5)とでアバランシェ接合を形成する。半導体基板(1)と第1導電型半導体層(2)とが電気的に分離されるように第1,第3の第2導電型半導体層(3,6)を接続する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)