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1. (WO2018061284) レーザ光照射装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2018/061284    国際出願番号:    PCT/JP2017/017502
国際公開日: 05.04.2018 国際出願日: 09.05.2017
IPC:
H01S 3/0941 (2006.01), H01S 3/00 (2006.01), H01S 5/024 (2006.01), H01S 5/068 (2006.01), B23K 26/00 (2014.01)
出願人: BROTHER KOGYO KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 15-1,Naeshiro-cho,Mizuho-ku,Nagoya-shi, Aichi 4678561 (JP)
発明者: NOGUCHI Keisuke; (JP)
優先権情報:
2016-189279 28.09.2016 JP
発明の名称: (EN) LASER LIGHT IRRADIATION DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IRRADIATION DE LUMIÈRE LASER
(JA) レーザ光照射装置
要約: front page image
(EN)To provide a laser light irradiation device with which it is possible to efficiently perform processing without a reduction in processing quality when a drive current channeled to an excitation semiconductor laser is changed with a change in the material constituting a workpiece. A storage unit stores the correspondence relationship between the current value of the drive current and the temperature of the excitation semiconductor laser when the oscillation efficiency for the laser light is at its maximum. A temperature control unit performs: a temperature determining process for determining, on the basis of the correspondence relationship stored in the storage unit, the temperature of the excitation semiconductor laser corresponding to the current value of the drive current set by a drive current value setting unit; and a temperature controlling process for controlling the temperature of the excitation semiconductor laser so that the temperature determined by the temperature determining process is reached. Therefore, the processing quality does not decrease, and there is no need to measure the temperature of the excitation semiconductor laser each time the current value of the drive current is changed.
(FR)L'invention vise à réaliser un dispositif d'irradiation de lumière laser avec lequel il est possible d'effectuer efficacement un traitement sans réduction de la qualité de traitement lorsqu'un courant d'attaque acheminé vers un laser à semiconducteur d'excitation change en présence d'un changement dans le matériau qui constitue une pièce à usiner. Une unité de stockage stocke la relation de correspondance entre la valeur actuelle du courant d'attaque et la température du laser à semiconducteur d'excitation lorsque l'efficacité d'oscillation pour la lumière laser est à son maximum. Une unité de régulation de température réalise : un processus de détermination de température afin de déterminer, sur la base de la relation de correspondance stockée dans l'unité de stockage, la température du laser à semiconducteur d'excitation correspondant à la valeur actuelle du courant d'attaque réglée par une unité de réglage de valeur de courant d'attaque; et un processus de régulation de température pour réguler la température du laser à semiconducteur d'excitation de telle sorte que la température déterminée par le processus de détermination de température soit atteinte. Par conséquent, la qualité de traitement ne diminue pas et il n'est pas nécessaire de mesurer la température du laser à semiconducteur d'excitation à chaque changement de la valeur actuelle du courant d'attaque.
(JA)加工対象物の材料の変更に伴って励起用半導体レーザに流す駆動電流を変更する場合に、加工品質が低下することなく効率良く加工を行うことができるレーザ光照射装置を提供すること。記憶部にはレーザ光の発振効率が最大になるときの励起用半導体レーザの温度と駆動電流の電流値との対応関係が記憶されている。温度制御部は駆動電流値設定部にて設定された駆動電流の電流値に対応する励起用半導体レーザの温度を、記憶部に記憶された対応関係に基づいて決定する温度決定処理と、この温度決定処理により決定された温度となるように励起用半導体レーザの温度を制御する温度制御処理とを実行する。したがって、加工品質が低下しないし、励起用半導体レーザの温度を、駆動電流の電流値を変更するたびに測定する必要がない。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)