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1. (WO2018061178) 半導体装置

Pub. No.:    WO/2018/061178    International Application No.:    PCT/JP2016/078999
Publication Date: Fri Apr 06 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Oct 01 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 27/04
H01L 21/329
H01L 21/822
H01L 29/06
H01L 29/41
H01L 29/739
H01L 29/78
H01L 29/866
Applicants: SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.
新電元工業株式会社
Inventors: KOTANI Ryohei
小谷 涼平
MATSUBARA Toshiki
松原 寿樹
ISHIZUKA Nobutaka
石塚 信隆
MIKAWA Masato
三川 雅人
OSHINO Hiroshi
押野 浩
Title: 半導体装置
Abstract:
【課題】活性領域を拡大することが可能な半導体装置を提供する。 【解決手段】実施形態の半導体装置1は、耐圧領域Bの絶縁膜4上に形成されたN型半導体層5aとP型半導体層5bとが交互に隣接配置されてなる過電圧保護ダイオード5を備え、過電圧保護ダイオード5は、絶縁膜4の上面の角部に配置され、角部から半導体基板2の中央部に向けて延在している。