国際・国内特許データベース検索

1. (WO2018061144) 半導体装置の製造方法

Pub. No.:    WO/2018/061144    International Application No.:    PCT/JP2016/078819
Publication Date: Fri Apr 06 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Sep 30 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 21/285
Applicants: KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION
株式会社KOKUSAI ELECTRIC
Inventors: OGAWA, Arito
小川 有人
SEINO, Atsuro
清野 篤郎
Title: 半導体装置の製造方法
Abstract:
課題 配線工程において絶縁膜上に金属膜を形成する際、絶縁膜と金属膜との密着性を向上させるとともに、低い配線抵抗を達成する技術を提供する。解決手段 絶縁膜が表面に形成された基板に対してボラン系ガス又はシラン系ガスからなる第1の還元ガスを供給して絶縁膜を還元する工程と、還元された絶縁膜上に直接金属元素を含む金属窒化膜を形成する工程であって、基板に対して第1の還元ガスを供給し排気する工程と、基板に対して金属元素を含む金属含有ガスを供給し排気する工程と、基板に対して窒化ガスを供給し排気する工程とを順に1回以上行う工程と、金属窒化膜上に直接第1の金属層を形成する工程であって基板に対して第1の還元ガスを供給し排気する工程と、基板に対して金属含有ガスを供給し排気する工程とを順に1回以上行う工程と、第1の金属層上に直接第2の金属層を形成する工程であって基板に対して第1の還元ガスとは異なる第2の還元ガスと金属含有ガスを同時に供給する工程とを有する。