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1. (WO2018061109) 半導体装置の製造方法
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国際公開番号: WO/2018/061109 国際出願番号: PCT/JP2016/078629
国際公開日: 05.04.2018 国際出願日: 28.09.2016
IPC:
H01L 21/285 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28
21/20~21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
283
電極用の導電または絶縁材料の析出
285
気体または蒸気からの析出,例.凝結
出願人:
株式会社KOKUSAI ELECTRIC KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区神田鍛冶町三丁目4番地 3-4, Kandakaji-cho, Chiyoda-ku, TOKYO 1010045, JP
発明者:
小川 有人 OGAWA, Arito; JP
清野 篤郎 SEINO, Atsuro; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ POUR PRODUCTION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
要約:
(EN) [Problem] To provide a technology which inhibits the diffusion of fluorine into an insulation film, when a fluorine-containing metal starting material gas is used to form a metal film on a substrate having, provided to the surface, the insulation film, and a barrier film formed on the insulation film. [Solution] The present invention is provided with: a step in which an oxidizing gas is supplied to a substrate in which a metal nitride film including a first metal element is formed on an insulation film, to oxidize the surface of the metal nitride film and form a metal oxide layer; and a step in which a fluorine-containing metal starting material gas including a second metal element and fluorine is supplied to the substrate to form a metal film on the substrate. The step in which the metal film is formed includes: a step in which a first reducing gas and the fluorine-containing metal starting material gas are supplied to the substrate to form, on the substrate, a metal nucleus layer including the second metal element; and a step in which a second reducing gas and the fluorine-containing metal starting material gas are used on the substrate to form a metal bulk layer on the metal nucleus layer.
(FR) L'invention concerne une technologie destinée à inhiber la diffusion de fluor dans un film isolant, lorsqu'un gaz de matériau de départ métallique contenant du fluor est utilisé pour former un film métallique sur un substrat comportant sur sa surface ledit film isolant et un film barrière formé sur le film isolant. Un procédé selon l'invention comprend : une étape dans laquelle un gaz oxydant est acheminé vers un substrat dans lequel un film de nitrure métallique comprenant un premier élément métallique est formé sur un film isolant, pour oxyder la surface du film de nitrure métallique et former une couche d'oxyde métallique; et une étape dans laquelle un gaz de matériau de départ métallique contenant du fluor comprenant un deuxième élément métallique et du fluor est acheminé vers le substrat pour former un film métallique sur ledit substrat. L'étape dans laquelle le film métallique est formé comprend : une étape dans laquelle un premier gaz réducteur et le gaz de matériau de départ métallique contenant du fluor sont acheminés vers le substrat pour former, sur ledit substrat, une couche de noyau métallique comprenant le deuxième élément métallique; et une étape dans laquelle un deuxième gaz réducteur et le gaz de matériau de départ métallique contenant du fluor sont utilisés sur le substrat pour former une couche massive métallique sur la couche de noyau métallique.
(JA) 課題 絶縁膜と、絶縁膜の上に形成されたバリア膜とを表面に有する基板上にフッ素含有金属原料ガスを用いて金属膜を形成する場合に、フッ素が絶縁膜へ拡散することを抑制する技術を提供する。解決手段 絶縁膜上に、第1の金属元素を含む金属窒化膜が形成された基板に対して、酸化ガスを供給して前記金属窒化膜の表面を酸化し金属酸化層を形成する工程と、前記基板に対して、第2の金属元素およびフッ素を含むフッ素含有金属原料ガスを供給して、前記基板上に金属膜を形成する工程と、を有し、前記金属膜を形成する工程は、前記基板に対して、第1の還元ガスと、前記フッ素含有金属原料ガスとを供給して、前記基板上に第2の金属元素を含む金属核層を形成する工程と、前記基板に対して、第2の還元ガスと、前記フッ素含有金属原料ガスと、を用いて、前記金属核層の上に金属バルク層を形成する工程と、を含む。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)