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1. (WO2018056438) n型SiC単結晶基板及びその製造方法、並びにSiCエピタキシャルウェハ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2018/056438    国際出願番号:    PCT/JP2017/034499
国際公開日: 29.03.2018 国際出願日: 25.09.2017
IPC:
C30B 29/36 (2006.01), C30B 23/06 (2006.01), H01L 21/203 (2006.01)
出願人: SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 13-9, Shibadaimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058518 (JP)
発明者: ETO Kazuma; (JP).
SUO Hiromasa; (JP).
KATO Tomohisa; (JP)
代理人: OIKAWA Shu; (JP).
ARA Norihiko; (JP).
KATSUMATA Tomoo; (JP)
優先権情報:
2016-186907 26.09.2016 JP
発明の名称: (EN) n-TYPE SiC SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING SAME AND SiC EPITAXIAL WAFER
(FR) SUBSTRAT MONOCRISTALLIN EN CARBURE DE SILICIUM DE TYPE n, SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION ET TRANCHE ÉPITAXIÉE EN CARBURE DE SILICIUM
(JA) n型SiC単結晶基板及びその製造方法、並びにSiCエピタキシャルウェハ
要約: front page image
(EN)This n-type SiC single crystal substrate is doped with both a donor and an acceptor; and the difference between the donor concentration and the acceptor concentration in an outer peripheral part is smaller than the difference between the donor concentration and the acceptor concentration in a central part, while being smaller than 3.0 × 1019/cm3.
(FR)Cette invention concerne un substrat monocristallin de SiC de type n, dopé à la fois avec un donneur et un accepteur. La différence entre la concentration en donneur et la concentration en accepteur dans une partie périphérique externe est inférieure à la différence entre la concentration en donneur et la concentration en accepteur dans une partie centrale, tout en étant inférieure à 3,0 × 1019/cm3.
(JA)本発明のn型SiC単結晶基板は、ドナーとアクセプターが共にドープされた基板であり、外周部におけるドナー濃度とアクセプター濃度の差が中央部におけるドナー濃度とアクセプター濃度の差よりも小さく、かつ、3.0×1019/cmより小さいn型SiC単結晶基板を提供する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)