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1. (WO2018056438) n型SiC単結晶基板及びその製造方法、並びにSiCエピタキシャルウェハ

Pub. No.:    WO/2018/056438    International Application No.:    PCT/JP2017/034499
Publication Date: Fri Mar 30 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Tue Sep 26 01:59:59 CEST 2017
IPC: C30B 29/36
C30B 23/06
H01L 21/203
Applicants: SHOWA DENKO K.K.
昭和電工株式会社
Inventors: ETO Kazuma
江藤 数馬
SUO Hiromasa
周防 裕政
KATO Tomohisa
加藤 智久
Title: n型SiC単結晶基板及びその製造方法、並びにSiCエピタキシャルウェハ
Abstract:
本発明のn型SiC単結晶基板は、ドナーとアクセプターが共にドープされた基板であり、外周部におけるドナー濃度とアクセプター濃度の差が中央部におけるドナー濃度とアクセプター濃度の差よりも小さく、かつ、3.0×1019/cm3より小さいn型SiC単結晶基板を提供する。