WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |

World Intellectual Property Organization
1. (WO2018056357) 半導体装置およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2018/056357    国際出願番号:    PCT/JP2017/034101
国際公開日: 29.03.2018 国際出願日: 21.09.2017
H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01)
出願人: DENSO CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Showa-cho, Kariya-city, Aichi 4488661 (JP).
TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Toyota-cho, Toyota-shi, Aichi 4718571 (JP)
発明者: EBIHARA Yasuhiro; (JP).
AOI Sachiko; (JP).
WATANABE Yukihiko; (JP).
SUGIMOTO Masahiro; (JP)
代理人: YOU-I PATENT FIRM; Nagoya Nishiki City Bldg. 4F 1-6-5, Nishiki, Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 4600003 (JP)
2016-184257 21.09.2016 JP
(JA) 半導体装置およびその製造方法
要約: front page image
(EN)A high-concentration n-type layer (20) is formed at least on a side surface of a p-type deep layer (3), specifically between the p-type deep layer (3) and a JFET portion (2a). In this way, during conventional operation, the high-concentration n-type layer (20) functions as a layer that stops the extension of a depletion layer. This makes it possible to suppress the extension of the depletion layer into the JFET portion (2a) and to suppress a narrowing of an electric current route, whereby it becomes possible to achieve a low on-resistance. If drain voltage (Vd) becomes higher than a voltage during conventional operation due to load short circuit and the like, the depletion layer extending from the p-type deep layer (3) toward the high-concentration n-type layer (20) extends beyond the thickness of the high-concentration n-type layer (20), whereby the JFET portion (2a) is immediately pinched off. This makes it possible to maintain a low saturation electric current, and to improve the tolerance of a SiC semiconductor device against load short circuit and the like.
(FR)Une couche de type n à haute concentration (20) est formée au moins sur une surface latérale d'une couche profonde de type p (3), en particulier entre la couche profonde de type p (3) et une portion JFET (2a). De cette manière, pendant le fonctionnement classique, la couche de type n à haute concentration (20) fonctionne comme une couche qui arrête l'extension d'une couche d'épuisement. Ceci permet d’empêcher l'extension de la couche d’épuisement dans la portion JFET (2a) et d’empêcher un rétrécissement d'un trajet de courant électrique, ce par quoi il devient possible d'obtenir une faible résistance à l'état passant. Si la tension de drain (Vd) devient supérieure à une tension pendant un fonctionnement classique dû au court-circuit de charge et similaire, la couche d’épuisement s'étendant à partir de la couche profonde de type p (3) vers la couche de type n à haute concentration (20) s'étend au-delà de l'épaisseur de la couche de type n à haute concentration (20), par laquelle la portion JFET (2a) est immédiatement pincée. Ceci permet de maintenir un courant électrique à faible saturation, et d'améliorer la tolérance d'un dispositif à semi-conducteur SiC contre un court-circuit de charge et similaire.
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)