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1. (WO2018056346) 基板処理装置、液体原料補充システム、半導体装置の製造方法、プログラム
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国際公開番号: WO/2018/056346 国際出願番号: PCT/JP2017/034050
国際公開日: 29.03.2018 国際出願日: 21.09.2017
IPC:
H01L 21/31 (2006.01) ,C23C 16/448 (2006.01) ,C23C 16/52 (2006.01) ,H01L 21/316 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
448
反応性ガス流を発生させるために用いる方法に特徴があるもの,例.先行する材料の蒸発または昇華によるもの
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
52
被覆工程の制御または調整(制御または調整一般G05)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314
無機物層,
316
酸化物またはガラス性酸化物または酸化物を基礎としたガラスからなるもの
出願人:
株式会社KOKUSAI ELECTRIC KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区神田鍛冶町三丁目4番地 3-4, Kandakaji-cho, Chiyoda-ku, TOKYO 1010045, JP
発明者:
磯辺 紀之 ISOBE, Noriyuki; JP
寿崎 健一 SUZAKI, Kenichi; JP
葛西 健 KASAI, Takeshi; JP
河原 喜隆 KAWAHARA, Yoshitaka; JP
島田 真一 SHIMADA, Masakazu; JP
優先権情報:
2016-18453721.09.2016JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE TREATMENT DEVICE, LIQUID FEEDSTOCK REPLENISHING SYSTEM, SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION METHOD, AND PROGRAM
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, SYSTÈME DE RÉAPPROVISIONNEMENT EN MATIÈRE PREMIÈRE LIQUIDE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROGRAMME
(JA) 基板処理装置、液体原料補充システム、半導体装置の製造方法、プログラム
要約:
(EN) The present invention suppresses variations in the value of in-plane uniformity of a film formed on a substrate. A substrate treatment device comprising: a treatment unit that includes a treatment chamber; a storage tank that stores a liquid feedstock, and is formed so as to include a wall portion and a bottom portion that has a recessed portion; a vaporization unit that vaporizes the liquid feedstock to generate a feedstock gas; a supply unit that supplies the feedstock gas to the treatment chamber; a continuous level sensor that detects the liquid level of the liquid feedstock stored in the storage tank, and has a sensor element disposed in the recessed portion; a replenishing unit that replenishes the liquid feedstock in the storage tank; and a control unit that controls the supply unit so as to supply the feedstock gas to the treatment chamber, whereby a substrate treatment is performed for treating a substrate, and controls the replenishing unit, on the basis of the liquid level of the liquid feedstock detected by the continuous level sensor each time the substrate treatment is performed a preset number of times, so as to replenish the liquid feedstock in the storage tank such that the liquid level of the liquid feedstock stored in the storage tank reaches a preset level.
(FR) La présente invention supprime les variations de la valeur d'uniformité dans le plan d'un film formé sur un substrat. L'invention concerne un dispositif de traitement de substrat comprenant : une unité de traitement qui comprend une chambre de traitement; un réservoir de stockage pour le stockage d'une matière première liquide, qui est tel à comprendre une partie paroi et une partie fond qui comporte une partie évidée; une unité de vaporisation qui vaporise la matière première liquide pour générer un gaz d'alimentation; une unité d'alimentation qui alimente en gaz d'alimentation la chambre de traitement; un capteur de niveau continu qui détecte le niveau de liquide de la matière première liquide stockée dans le réservoir de stockage, et comporte un élément de capteur disposé dans la partie évidée; une unité de réapprovisionnement qui réapprovisionne en matière première liquide le réservoir de stockage; et une unité de commande qui commande l'unité d'alimentation afin qu'elle alimente en gaz d'alimentation la chambre de traitement, grâce à quoi un traitement de substrat est effectué pour traiter un substrat, et qui commande l'unité de réapprovisionnement, sur la base du niveau de liquide de la matière première liquide détecté par le capteur de niveau continu chaque fois que le traitement d'un substrat est effectué un nombre prédéfini de fois, de manière à réapprovisionner en matière première liquide le réservoir de stockage de telle sorte que le niveau de liquide de la matière première liquide stockée dans le réservoir de stockage atteigne un niveau prédéfini.
(JA) 基板に形成される膜の面内均一性の値がばらついてしまうことを抑制する。処理室を含む処理部と、凹部を有する底部と、壁部とを含んで形成され、液体原料が貯留される貯留タンクと、液体原料を気化して原料ガスを生成する気化部と、原料ガスを処理室に供給する供給部と、貯留タンクに貯留されている液体原料の液面レベルを検知すると共に凹部に配置されているセンサ素子を有する連続センサと、貯留タンクに液体原料を補充する補充部と、供給部を制御して、処理室に原料ガスを供給させて基板を処理する基板処理を行わせると共に、基板処理を予め決められた回数行う毎に、連続センサが検知した液体原料の液面レベルに基づいて、補充部を制御し、貯留タンクに貯留されている液体原料の液面レベルが予め決められたレベルとなるように、貯留タンクに液体原料を補充させる制御部と、を備える。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)