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1. (WO2018056233) 半導体装置および半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

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国際公開番号:    WO/2018/056233    国際出願番号:    PCT/JP2017/033604
国際公開日: 29.03.2018 国際出願日: 15.09.2017
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/322 (2006.01), H01L 21/329 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/41 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01), H01L 29/861 (2006.01), H01L 29/868 (2006.01)
出願人: FUJI ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530 (JP).
DENSO CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Showa-cho, Kariya-shi, Aichi 4488661 (JP)
発明者: MIYATA, Hiroshi; (JP).
NOGUCHI, Seiji; (JP).
YOSHIDA, Souichi; (JP).
TANABE, Hiromitsu; (JP).
KOUNO, Kenji; (JP).
OKURA, Yasushi; (JP)
代理人: SAKAI, Akinori; (JP)
2016-183126 20.09.2016 JP
(JA) 半導体装置および半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)In the present invention, a plug electrode (12) is etched back, and as a result the plug electrode (12) is left only inside a contact hole (8a) and a barrier metal (9) on an upper surface (8e) of an interlayer insulating film (8) is exposed. Next, the barrier metal (9) is etched back, and as a result the upper surface (8e) of the interlayer insulating film (8) is exposed. Next, a remaining element structure is formed, and lifetime control is performed by using helium or irradiating an electron beam, and then hydrogen annealing is performed. When the hydrogen annealing is performed, since the barrier metal (9) is not present on the upper surface (8e) of the interlayer insulating film (8) that covers the gate electrode (4), the hydrogen atoms are able to reach the mesa part. As a result, lattice defects that have generated in the mesa part due to helium or irradiation of an electron beam are recovered, and a gate threshold voltage is recovered. Due to this configuration, prescribed characteristics can be stably and easily obtained in a semiconductor device that is provided with a structure in which a plug electrode is buried in a contact hole via a barrier metal, even when lifetime control is performed.
(FR)Dans la présente invention, une électrode de fiche (12) est gravée en retrait, et en conséquence l'électrode de fiche (12) est laissée uniquement à l'intérieur d'un trou de contact (8a) et un métal barrière (9) sur une surface supérieure (8e) d'un film isolant intercouche (8) est exposé. Ensuite, le métal barrière (9) est gravé en retrait, et, en conséquence la surface supérieure (8e) du film isolant intercouche (8) est exposée. Ensuite, une structure d'éléments restants est formée, et une commande de durée de vie est réalisée à l'aide de l'hélium ou par irradiation d'un faisceau d'électrons, puis un recuit d'hydrogène est effectué. Lorsque le recuit d'hydrogène est effectué, étant donné que le métal barrière (9) n'est pas présent sur la surface supérieure (8e) du film isolant intercouche (8) qui recouvre l'électrode de grille (4), les atomes d'hydrogène peuvent atteindre la partie mesa. Par conséquent, des défauts de réseau qui ont été générés dans la partie mesa à cause de l'hélium ou de l'irradiation d'un faisceau d'électrons sont corrigés, et une tension de seuil de grille est corrigée. Grâce à cette conception, des caractéristiques prescrites peuvent être obtenues de manière stable et aisée dans un dispositif à semi-conducteur qui est pourvu d'une structure dans laquelle une électrode de fiche est enterrée dans un trou de contact par l'intermédiaire d'un métal barrière, même lorsqu'une commande de durée de vie est effectuée.
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)