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1. (WO2018056233) 半導体装置および半導体装置の製造方法

Pub. No.:    WO/2018/056233    International Application No.:    PCT/JP2017/033604
Publication Date: Fri Mar 30 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Sep 16 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 29/78
H01L 21/28
H01L 21/322
H01L 21/329
H01L 21/336
H01L 29/41
H01L 29/739
H01L 29/861
H01L 29/868
Applicants: FUJI ELECTRIC CO., LTD.
富士電機株式会社
DENSO CORPORATION
株式会社デンソー
Inventors: MIYATA, Hiroshi
宮田 大嗣
NOGUCHI, Seiji
野口 晴司
YOSHIDA, Souichi
吉田 崇一
TANABE, Hiromitsu
田邊 広光
KOUNO, Kenji
河野 憲司
OKURA, Yasushi
大倉 康嗣
Title: 半導体装置および半導体装置の製造方法
Abstract:
プラグ電極(12)をエッチバックしてコンタクトホール(8a)の内部にのみ残すとともに、層間絶縁膜(8)の上面(8e)上のバリアメタル(9)を露出させる。続けて、バリアメタル(9)をエッチバックして、層間絶縁膜(8)の上面(8e)を露出させる。次に、残りの素子構造を形成し、ヘリウムまたは電子線の照射によりライフタイムを制御した後、水素アニールを行う。この水素アニール時、ゲート電極(4)を覆う層間絶縁膜(8)の上面(8e)にバリアメタル(9)が存在しないため、メサ部にまで水素原子を到達させることができる。これにより、ヘリウムまたは電子線の照射によりメサ部に発生した格子欠陥が回復し、ゲート閾値電圧が回復する。これによって、コンタクトホールにバリアメタルを介してプラグ電極が埋め込まれた構造を備えた半導体装置の所定特性を、ライフタイム制御を行った場合においても安定して容易に得ることができる。