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1. (WO2018056114) 半導体量子ドットの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2018/056114    国際出願番号:    PCT/JP2017/032833
国際公開日: 29.03.2018 国際出願日: 12.09.2017
IPC:
C01B 25/08 (2006.01), B82Y 20/00 (2011.01), B82Y 40/00 (2011.01), C01G 15/00 (2006.01), C09K 11/08 (2006.01), C09K 11/70 (2006.01)
出願人: FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
発明者: YOSHIDA, Yuji; (JP).
WADA, Kenji; (JP)
代理人: IIDA & PARTNERS; ISHII Bldg. 3F, 1-10, Shimbashi 3-chome, Minato-ku, Tokyo 1050004 (JP).
IIDA, Toshizo; (JP).
AKABA, Shuichi; (JP)
優先権情報:
2016-185860 23.09.2016 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE POINTS QUANTIQUES SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体量子ドットの製造方法
要約: front page image
(EN)[Problem] To provide a method for producing group III-V semiconductor quantum dots, said method making it possible to obtain group III-V semiconductor quantum dots exhibiting sharp light emitting properties and a narrow emission peak half width, and achieving high luminance as a result of excellent quantum yield. [Solution] This method for producing group III-V semiconductor quantum dots includes the following steps (a) and (b): (a) a step wherein a solution, which contains a solvent, a compound a1 including a group III element, and a compound a2 including a group V element, is maintained between 270 to 400°C, and the compound a1 and the compound a2 are reacted to form group III-V semiconductor nanoparticles in said solution; and (b) a step wherein the solution having said nanoparticles formed therein is cooled to 250°C at a cooling speed of 0.3 to 3°C/min.
(FR)[Problème] Le problème décrit par la présente invention est de fournir un procédé de production de points quantiques semi-conducteurs du groupe III-V, ledit procédé permettant d'obtenir des points quantiques semi-conducteurs du groupe III-V présentant des propriétés d'émission de lumière vives et une demi-largeur de pic d'émission étroite, et d'obtenir une luminance élevée en résultat d'un excellent rendement quantique. [Solution] Ce procédé de production de points quantiques semi-conducteurs du groupe III-V comprend les étapes suivantes (a) et (b) : (a) une étape dans laquelle une solution, qui contient un solvant, un composé a1 comprenant un élément du groupe III, et un composé a2 comprenant un élément du groupe V, est maintenue entre 270 et 400 °C, et le composé a1 et le composé a2 sont mis à réagir pour former des nanoparticules semi-conductrices du groupe III-V dans ladite solution; et (b) une étape dans laquelle la solution ayant lesdites nanoparticules formées à l'intérieur de celle-ci est refroidie à 250 °C à une vitesse de refroidissement de 0,3 à 3 °C/min.
(JA)【課題】 優れた量子収率により高い輝度を実現し、また、発光ピークの半値幅が狭くシャープな発光特性を示すIII-V族半導体量子ドットを得ることができる、III-V族半導体量子ドットの製造方法を提供する。 【解決手段】 下記工程(a)及び(b)を含む、III-V族半導体量子ドットの製造方法。 (a)第III族元素を含む化合物a1と、第V族元素を含む化合物a2と、溶媒とを含有する液を、270~400℃に保持して化合物a1と化合物a2とを反応させ、この液中にIII-V族半導体のナノ粒子を形成させる工程; (b)上記のナノ粒子を形成させた液を、0.3~3℃/分の冷却速度で250℃まで冷却する工程。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)