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1. (WO2018056085) 基板処理方法および基板処理装置
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国際公開番号: WO/2018/056085 国際出願番号: PCT/JP2017/032555
国際公開日: 29.03.2018 国際出願日: 08.09.2017
IPC:
H01L 21/304 (2006.01) ,H01L 21/306 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
出願人:
東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 東京都港区赤坂五丁目3番1号 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325, JP
発明者:
片桐 勇志 KATAGIRI, Yuji; JP
関口 賢治 SEKIGUCHI, Kenji; JP
代理人:
特許業務法人酒井国際特許事務所 SAKAI INTERNATIONAL PATENT OFFICE; 東京都千代田区霞が関3丁目8番1号 虎の門三井ビルディング Toranomon Mitsui Building, 8-1, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000013, JP
優先権情報:
2016-18440421.09.2016JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理方法および基板処理装置
要約:
(EN) A substrate processing method according to one embodiment of the present invention comprises a processing liquid supply step and an ultraviolet light irradiation step. In the processing liquid supply step, a processing liquid is supplied to a substrate. In the ultraviolet light irradiation step, the substrate after the processing liquid supply step is electrically neutralized by irradiating the substrate after the processing liquid supply step with ultraviolet light having a wavelength of 200 nm or less.
(FR) La présente invention porte, selon un mode de réalisation, sur un procédé de traitement de substrat qui comprend une étape d'alimentation en liquide de traitement et une étape d'irradiation de lumière ultraviolette. Au cours de l'étape d'alimentation en liquide de traitement, un liquide de traitement est fourni à un substrat. Au cours de l'étape d'irradiation de lumière ultraviolette, le substrat, après l'étape d'alimentation en liquide de traitement, est neutralisé électriquement par irradiation du substrat après l'étape d'alimentation en liquide de traitement avec une lumière ultraviolette ayant une longueur d'onde égale ou inférieure à 200 nm.
(JA) 実施形態に係る基板処理方法は、処理液供給工程と、紫外線照射工程とを含む。処理液供給工程は、基板に対して処理液を供給する。紫外線照射工程は、処理液供給工程後の基板に対して200nm以下の波長の紫外線を照射することにより、処理液供給工程後の基板を除電する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)