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1. (WO2018056068) 半導体装置および半導体装置の動作方法、並びに製造方法

Pub. No.:    WO/2018/056068    International Application No.:    PCT/JP2017/032391
Publication Date: Fri Mar 30 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Sep 09 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/822
G01R 31/26
G01R 31/28
H01L 21/66
H01L 21/82
H01L 21/8234
H01L 27/04
H01L 27/088
Applicants: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Inventors: MORI Shigetaka
森 茂貴
Title: 半導体装置および半導体装置の動作方法、並びに製造方法
Abstract:
本開示は、ゲート長ばらつきの回路特性への影響を最小限に抑制し、製品選別テストの良品率(歩留り)を高めることができるようにする半導体装置および半導体装置の動作方法、並びに製造方法に関する。 複数のインバータが環状に接続され、複数のインバータのそれぞれの出力端子に、トランジスタのゲート容量が負荷容量として接続されて構成されるリングオシレータが、発振信号を出力し、リングオシレータが、複数のトランジスタのゲート長が同一のものから構成され、ゲート長が異なる複数のトランジスタからなるものが、少なくとも2つ以上構成される。製品テスト時に複数のリングオシレータの発振信号の周波数に基づいてゲート長が算出されて、算出されたゲート長に応じた補正値によりバックバイアスを掛けて動作させる。本開示は、半導体装置に適用することができる。