このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2018056033) マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/056033 国際出願番号: PCT/JP2017/031748
国際公開日: 29.03.2018 国際出願日: 04.09.2017
IPC:
G03F 1/32 (2012.01) ,H01L 21/3065 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
1
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造に用いる原稿,例.マスク,フォトマスク又はレチクル;そのためのマスクブランク又はペリクル;特にそれに適合した容器;その準備
26
位相シフトマスク;PSMブランク;その準備
32
減衰PSM,例.ハーフトーンPSM又は半透明な位相シフト部を有するPSM;その準備
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
出願人:
HOYA株式会社 HOYA CORPORATION [JP/JP]; 東京都新宿区西新宿六丁目10番1号 6-10-1 Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo 1608347, JP
発明者:
堀込 康隆 HORIGOME, Yasutaka; JP
谷口 和丈 TANIGUCHI, Kazutake; JP
宍戸 博明 SHISHIDO, Hiroaki; JP
代理人:
永田 豊 NAGATA, Yutaka; JP
大島 孝文 OSHIMA, Takafumi; JP
太田 司 OTA, Tsukasa; JP
優先権情報:
2016-18687126.09.2016JP
発明の名称: (EN) MASK BLANK, PHASE SHIFT MASK, METHOD FOR MANUFACTURING PHASE SHIFT MASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) ÉBAUCHE DE MASQUE, MASQUE DE DÉPHASAGE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MASQUE DE DÉPHASAGE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法
要約:
(EN) Provided is a mask blank for a phase shift mask that transmits ArF excimer laser light at a transmittance of 10% or greater, has a high correction rate ratio for translucent substrates when EB defect correction is performed, and for which black defect correction can be performed with high precision. The mask blank is such that: a phase shift film on a translucent substrate has a function for transmitting ArF excimer laser light at a transmittance of 10% or greater and producing a phase shift of 150 - 200 degrees, and includes a structure wherein six or more layers in the order of a low transmission layer and a high transmission layer are laminated alternatingly from the translucent substrate side; the low transmission layer is formed from a material that includes silicon and nitrogen, with the nitrogen content being 50 at.% or greater, and the high transmission layer is formed from a material that includes silicon and oxygen, with the oxygen content being 50 at.% or greater or a material that includes silicon, nitrogen, and oxygen, with the nitrogen content being 10 at.% or greater and the oxygen content being 30 at.% or greater; and the thickness of the low transmission layer is greater than the thickness of the high transmission layer, and the thickness of the high transmission layer is 4 nm or less.
(FR) L'invention concerne une ébauche de masque destinée à un masque de déphasage qui transmet une lumière laser à excimères ArF à une transmittance de 10 % ou plus, qui a un rapport de taux de correction élevé pour des substrats translucides lorsqu'une correction de défaut d'EB est effectuée, et pour lequel une correction de défaut noir peut être effectuée avec une précision élevée. L'ébauche de masque est telle : qu'un film à déphasage sur un substrat translucide a une fonction destinée à transmettre une lumière laser à excimères ArF à une transmittance de 10 % ou plus et à produire un déphasage de 150 à 200 degrés, et comprend une structure dans laquelle six couches ou plus dans l'ordre d'une couche de transmission faible et d'une couche de transmission élevée sont stratifiées en alternance à partir du côté du substrat translucide ; la couche de transmission faible est formée à partir d'un matériau qui comprend du silicium et de l'azote, le contenu en azote étant de 50% ou plus, et la couche de transmission élevée est formée à partir d'un matériau qui comprend du silicium et de l'oxygène, le contenu en oxygène étant de 50 ou plus ou un matériau qui comprend du silicium, de l'azote et de l'oxygène, le contenu en azote étant de 10% ou plus et le contenu en oxygène étant de 30% ou plus ; et l'épaisseur de la couche de transmission faible est supérieure à l'épaisseur de la couche de transmission élevée, et l'épaisseur de la couche de transmission élevée est inférieure ou égale à 4 nm.
(JA) ArFエキシマレーザー光を10%以上の透過率で透過させ、EB欠陥修正を行ったとき透光性基板に対する修正レート比が高く、精度の高い黒欠陥修正を行える、位相シフトマスク用マスクブランクを提供する。透光性基板上の位相シフト膜は、ArFエキシマレーザー光を透過率10%以上で透過させ、150度以上200度以下の位相差を生じさせる機能を有し、透光性基板側から低透過層と高透過層がこの順で交互に6層以上積層した構造を含み、低透過層は、ケイ素及び窒素を含有し、窒素の含有量が50原子%以上である材料で形成され、高透過層は、ケイ素及び酸素を含有し、酸素の含有量が50原子%以上である材料又はケイ素、窒素及び酸素を含有し、窒素の含有量が10原子%以上かつ酸素の含有量が30原子%以上である材料で形成され、低透過層の厚さは、高透過層の厚さよりも厚く、高透過層は、厚さが4nm以下であるマスクブランクとした。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)