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1. (WO2018055917) SiC単結晶成長用坩堝

Pub. No.:    WO/2018/055917    International Application No.:    PCT/JP2017/027672
Publication Date: Fri Mar 30 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Tue Aug 01 01:59:59 CEST 2017
IPC: C30B 29/36
C01B 32/956
C30B 23/06
Applicants: SHOWA DENKO K.K.
昭和電工株式会社
DENSO CORPORATION
株式会社デンソー
Inventors: NOGUCHI Shunsuke
野口 駿介
OYA Nobuyuki
大矢 信之
Title: SiC単結晶成長用坩堝
Abstract:
このSiC単結晶成長用坩堝は、内部に単結晶設置部と、原料設置部とを有し、昇華法によりSiC単結晶を得るための坩堝であって、前記単結晶設置部を基準に前記原料設置部側に位置する第1領域の少なくとも一部を囲む前記坩堝の第1壁のガス透過度は、前記単結晶設置部を基準に前記原料設置部と反対側に位置する第2領域の少なくとも一部を囲む前記坩堝の第2壁のガス透過度より低い。