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1. (WO2018055900) スイッチング素子駆動回路
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国際公開番号: WO/2018/055900 国際出願番号: PCT/JP2017/027059
国際公開日: 29.03.2018 国際出願日: 26.07.2017
IPC:
H03K 17/695 (2006.01) ,H02M 1/08 (2006.01) ,H03K 17/16 (2006.01) ,H03K 17/56 (2006.01) ,H03K 17/687 (2006.01)
H 電気
03
基本電子回路
K
パルス技術
17
電子的スイッチングまたはゲート,すなわち,メークおよびブレーク接点によらないもの
51
特定の構成要素の使用によって特徴づけられたもの
56
能動素子として半導体装置を用いるもの
687
装置が電界効果トランジスタであるもの
695
誘導性負荷をもつもの
H 電気
02
電力の発電,変換,配電
M
交流-交流,交流-直流または直流-直流変換装置,および主要な,または類似の電力供給システムと共に使用するための装置:直流または交流入力-サージ出力変換;そのための制御または調整
1
変換装置の細部
08
静止型変換器に用いられる半導体装置の制御電圧の発生に用いられる回路
H 電気
03
基本電子回路
K
パルス技術
17
電子的スイッチングまたはゲート,すなわち,メークおよびブレーク接点によらないもの
16
混信電圧または混信電流を消去するための変形
H 電気
03
基本電子回路
K
パルス技術
17
電子的スイッチングまたはゲート,すなわち,メークおよびブレーク接点によらないもの
51
特定の構成要素の使用によって特徴づけられたもの
56
能動素子として半導体装置を用いるもの
H 電気
03
基本電子回路
K
パルス技術
17
電子的スイッチングまたはゲート,すなわち,メークおよびブレーク接点によらないもの
51
特定の構成要素の使用によって特徴づけられたもの
56
能動素子として半導体装置を用いるもの
687
装置が電界効果トランジスタであるもの
出願人:
アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 AISIN AW CO., LTD. [JP/JP]; 愛知県安城市藤井町高根10番地 10, Takane, Fujiicho, Anjo-shi, Aichi 4441192, JP
発明者:
▲高▼倉裕司 TAKAKURA Yuji; JP
中村恭士 NAKAMURA Yasushi; JP
代理人:
特許業務法人R&C R&C IP LAW FIRM; 大阪府大阪市北区中之島三丁目3番3号 3-3, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
優先権情報:
2016-18583323.09.2016JP
発明の名称: (EN) SWITCHING ELEMENT DRIVING CIRCUIT
(FR) CIRCUIT DE COMMANDE D'ÉLÉMENT DE COMMUTATION
(JA) スイッチング素子駆動回路
要約:
(EN) The purpose of the present invention is to suitably control a switching element to an off state even in a case when a switching control signal is amplified, and the supply of power to a driving circuit transmitted to the switching element is delayed. Provided are: a compensation resistor (R2) that connects an input unit (IN) and an output unit (OUT) of a push-pull buffer circuit (21); and an input-side pull-down resistor (R3) that connects the input unit (IN) and a negative electrode (VG) side of a switching element (3) subject to driving. The sum of the resistance value of the compensation resistor (R2) and the resistance value of the input-side pull-down resistor (R3) is set to a value that is smaller than the resistance value of a resistor (R1) between a control terminal (G) of the switching element (3) subject to driving and an emitter terminal or a source terminal (S) of the switching element (3), and greater than the resistance value of a lower-side current controlling resistor (R21L) connected between a second potential (–V2) more negative than the negative electrode (VG) and a lower-side buffer element (21L).
(FR) La présente invention concerne la commande appropriée d'un élément de commutation vers un état non passant même dans un cas où un signal de commande de commutation est amplifié, et l'alimentation électrique d'un circuit de commande transmise à l'élément de commutation est retardée. Plus précisément le circuit selon l'invention comprend : une résistance de compensation (R2) qui connecte une unité d'entrée (IN) et une unité de sortie (OUT) d'un circuit tampon symétrique (21); et une résistance de rappel vers le niveau bas côté entrée (R3) qui connecte l'unité d'entrée (IN) et un côté électrode négative (VG) d'un élément de commutation (3) soumis à la commande. La somme de la valeur de résistance de la résistance de compensation (R2) et de la valeur de résistance de la résistance de rappel vers le niveau bas côté entrée (R3) est réglée à une valeur inférieure à la valeur de résistance d'une résistance (R1) entre une borne de commande (G) de l'élément de commutation (3) soumis à la commande et une borne d'émission ou une borne de source (S) de l'élément de commutation (3), et supérieure à la valeur de résistance d'une résistance de commande de courant côté inférieur (R21L) connectée entre un second potentiel (–V2) plus négatif que l'électrode négative (VG) et un élément tampon côté inférieur (21L).
(JA) スイッチング制御信号を増幅してスイッチング素子に伝達する駆動回路への電力供給が滞った場合においても、適切にスイッチング素子をオフ状態に制御する。プッシュプルバッファ回路(21)の入力部(IN)と出力部(OUT)とを接続する補償抵抗(R2)と、入力部(IN)と駆動対象のスイッチング素子(3)の負極(VG)の側とを接続する入力側プルダウン抵抗(R3)と、を備え、補償抵抗(R2)の抵抗値と入力側プルダウン抵抗(R3)の抵抗値との和が、駆動対象のスイッチング素子(3)の制御端子(G)とスイッチング素子(3)のエミッタ端子又はソース端子(S)との間の抵抗(R1)の抵抗値よりも小さく、負極(VG)よりも負の第2電位(-V2)と下段側バッファ素子(21L)との間に接続された下段側電流制限抵抗(R21L)の抵抗値よりも大きい値に設定されている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)