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1. (WO2018055879) 熱処理装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2018/055879    国際出願番号:    PCT/JP2017/025386
国際公開日: 29.03.2018 国際出願日: 12.07.2017
IPC:
H01L 21/26 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01)
出願人: SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP/JP]; Tenjinkita-machi 1-1, Teranouchi-agaru 4-chome, Horikawa-dori, Kamigyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6028585 (JP)
発明者: FURUKAWA Masashi; (JP).
KAWARAZAKI Hikaru; (JP).
UEDA Akitsugu; (JP)
代理人: YOSHITAKE Hidetoshi; (JP).
ARITA Takahiro; (JP)
優先権情報:
2016-185163 23.09.2016 JP
発明の名称: (EN) THERMAL PROCESSING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT THERMIQUE
(JA) 熱処理装置
要約: front page image
(EN)A plurality of halogen lamps for pre-heating a semiconductor wafer are arrayed in a lattice in two upper and lower levels, forming a rectangular light source area. Two auxiliary lamps are arranged at each of the four corners of the rectangular light source area. The outputs of the auxiliary lamps are controlled separately. When the semiconductor wafer is pre-heated using the plurality of halogen lamps, the temperature at the peripheral portions of the semiconductor wafer opposite the four corners of the rectangular light source area are separately adjusted by the auxiliary lamps. In this way, during the pre-heating with the halogen lamps, the temperature at the peripheral portions of the semiconductor wafer including the portions opposite the four corners can be appropriately adjusted, and the in-plane temperature distribution of the semiconductor wafer can be made uniform during pre-heating.
(FR)Une pluralité de lampes halogènes pour préchauffer une tranche de semi-conducteur sont agencées en réseau dans un maillage en deux niveaux supérieur et inférieur, formant une zone de source de lumière rectangulaire. Deux lampes auxiliaires sont disposées au niveau de chacun des quatre coins de la zone de source de lumière rectangulaire. Les sorties des lampes auxiliaires sont commandées séparément. Lorsque la tranche de semi-conducteur est préchauffée à l'aide de la pluralité de lampes halogènes, la température au niveau des portions périphériques de la tranche de semi-conducteur à l'opposé des quatre coins de la zone de source de lumière rectangulaire sont réglées séparément par les lampes auxiliaires. De cette manière, pendant le préchauffage avec les lampes halogènes, la température au niveau des portions périphériques de la tranche de semi-conducteur comprenant les portions en regard des quatre coins peut être ajustée de manière appropriée, et la distribution de température dans le plan de la tranche de semi-conducteur peut être rendue uniforme pendant le préchauffage.
(JA)半導体ウェハーを予備加熱するための複数のハロゲンランプが上下2段に格子状に配列されて矩形の光源領域を形成する。その矩形の光源領域の四隅に2個ずつ補助ランプが配置される。各補助ランプは個別に出力が制御される。複数のハロゲンランプによって半導体ウェハーの予備加熱を行うときに、補助ランプによって矩形の光源領域の四隅に対向する半導体ウェハーの周縁部の温度を個別に調整している。これにより、ハロゲンランプによる予備加熱時には、当該四隅に対向する部位を含む半導体ウェハーの周縁部の温度を適正に調整することができ、予備加熱時における半導体ウェハーの面内温度分布を均一にすることができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)