WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2018055878) 成膜方法および成膜装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2018/055878    国際出願番号:    PCT/JP2017/025230
国際公開日: 29.03.2018 国際出願日: 11.07.2017
IPC:
C23C 14/06 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01)
出願人: SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP/JP]; Tenjinkita-machi 1-1, Teranouchi-agaru 4-chome, Horikawa-dori, Kamigyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6028585 (JP)
発明者: OSAWA, Atsushi; (JP)
代理人: FURIKADO, Shoichi; (JP).
OHNISHI, Kazumasa; (JP)
優先権情報:
2016-186459 26.09.2016 JP
発明の名称: (EN) FILM FORMATION METHOD AND FILM FORMATION APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM ET APPAREIL DE FORMATION DE FILM
(JA) 成膜方法および成膜装置
要約: front page image
(EN)Through the present invention, a black film having good film quality can be formed stably and at lower cost than by the prior art. A film formation method provided with steps (S101, S102) for disposing a target material so as to face the surface of a substrate, a step (S103) for supplying a gas including a sputtering gas and a reactive gas to a treatment space between the surface of the substrate and the target material, a step (S104) for controlling the atmospheric pressure of the treatment space to a predetermined film formation pressure, and a step (S105) for forming an electric field in the treatment space and generating a plasma of the gas. The target material is titanium, the reactive gas is nitrogen, the film formation pressure is set to at least 3 Pa, and a film of titanium nitride is formed by sputtering on the surface of the substrate.
(FR)Grâce à la présente invention, un film noir possédant une qualité de film satisfaisante peut être formé de manière stable et à un coût inférieur par rapport à l'état de la technique. Un procédé de formation de film comprend des étapes (S101, S102) de disposition d’un matériau cible afin qu’il soit orienté vers la surface d'un substrat, une étape (S103) d’alimentation en gaz, comportant un gaz de pulvérisation et un gaz réactif, d’un espace de traitement entre la surface du substrat et le matériau cible, une étape (S104) de réglage de la pression atmosphérique de l'espace de traitement pour atteindre une pression de formation de film prédéfinie, et une étape (S105) de formation d’un champ électrique dans l'espace de traitement et de génération d’un plasma du gaz. Le matériau cible est du titane, le gaz réactif est de l'azote, la pression de formation de film est définie comme étant d’au moins 3 Pa, et un film de nitrure de titane est formé par pulvérisation sur la surface du substrat.
(JA)膜質の良好な黒色膜を安定的に、しかも従来よりも低コストで成膜することを可能とする。基材の表面に臨ませてターゲット材を配置する工程(S101、S102)と、基材の表面とターゲット材との間の処理空間にスパッタガスおよび反応性ガスを含むガスを供給する工程(S103)と、処理空間の気圧を所定の成膜圧力に制御する工程(S104)と、処理空間に電界を形成してガスのプラズマを発生させる工程(S105)とを備える成膜方法である。ターゲット材がチタンであり、反応性ガスが窒素であり、成膜圧力を3Pa以上として、基材の表面に窒化チタンの膜をスパッタリング成膜する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)