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1. (WO2018055847) 太陽電池及びその製造方法、並びに太陽電池モジュール
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国際公開番号: WO/2018/055847 国際出願番号: PCT/JP2017/021436
国際公開日: 29.03.2018 国際出願日: 09.06.2017
IPC:
H01L 31/18 (2006.01) ,B24B 27/06 (2006.01) ,H01L 21/301 (2006.01) ,H01L 31/0747 (2012.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
18
これらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
B 処理操作;運輸
24
研削;研磨
B
研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
27
その他の研削機械または装置
06
切断用研削機
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
301
半導体本体を別個の部品に細分割するため,例.分離する
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04
変換装置として使用されるもの
06
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
072
電位障壁がPNヘテロ接合型のみからなるもの
0745
AIVBIVヘテロ接合からなる,例.Si/Ge,SiGe/SiまたはSi/SiC太陽電池
0747
結晶材料とアモルファス材料のヘテロ接合からなる,例.薄い真性層を備えたヘテロ接合またはHIT(R)の太陽電池とのヘテロ結合
出願人:
株式会社カネカ KANEKA CORPORATION [JP/JP]; 大阪府大阪市北区中之島二丁目3番18号 3-18, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5308288, JP
発明者:
中野邦裕 NAKANO Kunihiro; --
吉河訓太 YOSHIKAWA Kunta; --
山本憲治 YAMAMOTO Kenji; --
代理人:
特許業務法人池内アンドパートナーズ IKEUCHI & PARTNERS; 大阪府大阪市北区天満橋1丁目8番30号OAPタワー26階 26th Floor, OAP TOWER, 8-30, Tenmabashi 1-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5306026, JP
優先権情報:
2016-18330220.09.2016JP
発明の名称: (EN) SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND SOLAR CELL MODULE
(FR) CELLULE SOLAIRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET MODULE DE CELLULE SOLAIRE
(JA) 太陽電池及びその製造方法、並びに太陽電池モジュール
要約:
(EN) This solar cell 100 is provided with a semiconductor substrate provided with a photoelectric conversion part 10, a first electrode 20, and a second electrode 30. The thickness of the semiconductor substrate is 70 μm to 200 μm inclusive. The solar cell 100 has chipping marks at an end part on at least one of the principal surfaces of the semiconductor substrate. The maximum length of the chipping marks along a side edge of the semiconductor substrate is no more than 45 μm. The semiconductor substrate does not have scribe marks made by laser irradiation. The solar cell 100 allows for the suppression of a reduction in the fill factor.
(FR) Cette cellule solaire 100 comprend un substrat semi-conducteur comprenant une partie de conversion photoélectrique 10, une première électrode 20 et une seconde électrode 30. L'épaisseur du substrat semi-conducteur est de 70 μm à 200 μm inclus. La cellule solaire 100 a des marques d'écaillage au niveau d'une partie d'extrémité sur au moins l'une des surfaces principales du substrat semi-conducteur. La longueur maximale des marques d'écaillage le long d'un bord latéral du substrat semi-conducteur n'est pas supérieure à 45 µm. Le substrat semi-conducteur n'a pas de marques de découpe réalisées par irradiation laser. La cellule solaire 100 permet d'empêcher une réduction du facteur de remplissage.
(JA) 太陽電池100は、光電変換部10と、第1電極20と、第2電極30とを備えた半導体基板を備え、前記半導体基板の厚さが、70μm以上200μm以下であり、前記半導体基板の少なくとも一方の主面の端部にチッピング痕を有し、前記チッピング痕の前記半導体基板の側辺に沿った最大長さが、45μm以下であり、前記半導体基板は、レーザーの照射によるスクライブ痕を有さない。太陽電池100は、曲線因子の低下を抑制できる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)