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1. (WO2018055733) 記憶装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2018/055733 国際出願番号: PCT/JP2016/078045
国際公開日: 29.03.2018 国際出願日: 23.09.2016
IPC:
G11C 16/06 (2006.01) ,G06F 11/10 (2006.01) ,G11C 16/02 (2006.01)
G 物理学
11
情報記憶
C
静的記憶
16
消去可能でプログラム可能なリードオンリメモリ
02
電気的にプログラム可能なもの
06
周辺回路,例.メモリへの書込み用
G 物理学
06
計算;計数
F
電気的デジタルデータ処理
11
エラー検出;エラー訂正;監視
07
故障の発生への応答,例.耐故障性
08
データの表現形態に冗長性をもたせることによるエラー検出またはエラー訂正,例.チェック・コードを用いることによるもの
10
符号化された情報に特別のビットまたは記号を付加したもの,例.パリティチェック,9または11のキャスティングアウト
G 物理学
11
情報記憶
C
静的記憶
16
消去可能でプログラム可能なリードオンリメモリ
02
電気的にプログラム可能なもの
出願人:
東芝メモリ株式会社 TOSHIBA MEMORY CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝浦一丁目1番1号 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050023, JP
発明者:
荒屋 朋子 ARAYA, Tomoko; JP
本間 充祥 HONMA, Mitsuaki; JP
代理人:
蔵田 昌俊 KURATA, Masatoshi; JP
野河 信久 NOGAWA, Nobuhisa; JP
河野 直樹 KOHNO, Naoki; JP
井上 正 INOUE, Tadashi; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) STORAGE DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE STOCKAGE
(JA) 記憶装置
要約:
(EN) This storage device comprises a first memory cell and a second memory cell adjacent to the first memory cell, and a sequencer which, when reading data from the first memory cell, performs a first read operation on the second memory cell, performs a second read operation on the first memory cell, and performs a third read operation on the first memory cell while applying a voltage different from the voltage when performing the second read operation to the gate of the second memory cell, the sequencer generating, on the basis of the results of the first through third read operations, first data stored in the first memory cell and second data for correcting the first data.
(FR) L'invention concerne un dispositif de stockage comprenant une première cellule de mémoire et une seconde cellule de mémoire adjacente à la première cellule de mémoire, et un séquenceur qui, lors de la lecture de données à partir de la première cellule de mémoire, effectue une première opération de lecture sur la seconde cellule de mémoire, effectue une seconde opération de lecture sur la première cellule de mémoire, et effectue une troisième opération de lecture sur la première cellule de mémoire tout en appliquant une tension différente de la tension lors de la réalisation de la seconde opération de lecture à la grille de la seconde cellule de mémoire, le séquenceur générant, sur la base des résultats des première à troisième opérations de lecture, des premières données stockées dans la première cellule de mémoire et des secondes données pour corriger les premières données.
(JA) 記憶装置は、第1メモリセル及び第1メモリセルに隣り合う第2メモリセルと、第1メモリセルからデータを読み出す場合、第2メモリセルに対して第1読み出しを行い、第1メモリセルに対して第2読み出しを行い、第2メモリセルのゲートに第2読み出し時とは異なる電圧を印加し、第1メモリセルに対して第3読み出しを行い、第1~第3読み出しの結果に基づいて、第1メモリセルに記憶された第1データと、第1データを補正するための第2データと、を生成するシーケンサと、を備える。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)