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1. (WO2018055724) 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/055724 国際出願番号: PCT/JP2016/077962
国際公開日: 29.03.2018 国際出願日: 23.09.2016
IPC:
H01L 21/31 (2006.01) ,C23C 16/455 (2006.01) ,H01L 21/316 (2006.01)
出願人: KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION[JP/JP]; 3-4, Kandakaji-cho, Chiyoda-ku, TOKYO 1010045, JP
発明者: HARADA Katsuyoshi; JP
TAKASAWA Yushin; JP
SHIMAMOTO Satoshi; JP
SONE Shin; JP
代理人: FUKUOKA Masahiro; JP
ANIYA Setuo; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS, AND PROGRAM
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROGRAMME
(JA) 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
要約: front page image
(EN) The present invention performs: (a) a step for supplying a substrate at a first temperature with hydrogen gas, while not supplying the substrate with an oxygen-containing gas; (b) a step for changing the temperature of the substrate from the first temperature to a second temperature that is higher than the first temperature, in a state wherein the substrate is supplied with the hydrogen gas, while not being supplied with the oxygen-containing gas; and (c) a step for forming, on the substrate having been subjected to the steps (a) and (b), an oxide film by alternately repeating, in a state wherein the temperature of the substrate is kept at the second temperature, a step for supplying the substrate with a gaseous starting material, and a step for supplying the substrate with the oxygen-containing gas, while not supplying the substrate with the hydrogen-containing gas.
(FR) La présente invention réalise : (a) une étape consistant à alimenter un substrat à une première température en hydrogène gazeux, tout en n'alimentant pas le substrat en gaz contenant de l'oxygène; (b) une étape consistant à modifier la température du substrat de la première température à une seconde température qui est supérieure à la première température, dans un état dans lequel le substrat est alimenté en hydrogène gazeux, tout en n'étant pas alimenté en gaz contenant de l'oxygène; et (c) une étape consistant à former, sur le substrat ayant été soumis aux étapes (a) et (b), un film d'oxyde par répétition alternée, dans un état dans lequel la température du substrat est maintenue à la seconde température, d'une étape d'alimentation du substrat en matériau de départ gazeux, et d'une étape d'alimentation du substrat en gaz contenant de l'oxygène, tout en n'alimentant pas le substrat en gaz contenant de l'hydrogène.
(JA) (a)第1温度とした基板に対して酸素含有ガスを非供給としつつ水素ガスを供給する工程と、(b)基板に対して酸素含有ガスを非供給としつつ水素ガスを供給した状態で、基板の温度を第1温度から第1温度よりも高い第2温度に変更する工程と、(c)基板の温度を第2温度に維持した状態で、基板に対して原料ガスを供給する工程と、基板に対して水素含有ガスを非供給としつつ酸素含有ガスを供給する工程と、を交互に繰り返すことで、(a)(b)実施後の基板上に酸化膜を形成する工程と、を行う。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)