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1. (WO2018055719) 炭化珪素半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/055719 国際出願番号: PCT/JP2016/077944
国際公開日: 29.03.2018 国際出願日: 23.09.2016
IPC:
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 27/04 (2006.01) ,H01L 29/12 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
02
半導体本体
12
構成材料に特徴のあるもの
出願人: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION[JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
発明者: ORITSUKI Yasunori; JP
TARUI Yoichiro; JP
代理人: YOSHITAKE Hidetoshi; JP
ARITA Takahiro; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR EN CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素半導体装置
要約:
(EN) The present invention pertains to a silicon carbide semiconductor device provided with: a second-electroconductivity-type third impurity region located in an outer periphery region, which is the outer periphery of a cell disposition region in which a unit cell is disposed; a field insulation film that is thicker than a gate insulation film arranged in the outer periphery region; an interlayer insulation film arranged on the field insulation film, a gate electrode, and the gate insulation film; and gate wiring and a gate pad that are electrically connected to each other via a first main electrode arranged on the interlayer insulation film, and the gate electrode arranged on the field insulation film. The third impurity region has a second-electroconductivity-type fourth impurity region provided selectively on the upper layer section thereof, the fourth impurity region has a higher impurity concentration than the third impurity region, the gate wiring and the gate pad are provided in the outer periphery region, and the fourth impurity region is provided adjacent to the cell disposition region, provided so as to surround at least the region below the gate pad, and electrically connected to the first main electrode.
(FR) La présente invention se rapporte à un dispositif à semi-conducteur en carbure de silicium qui est pourvu : d'une troisième région d'impureté de second type d'électroconductivité située dans une région de périphérie externe, qui est la périphérie externe d'une région de disposition de cellule dans laquelle une cellule unitaire est disposée ; d'un film d'isolation de champ qui est plus épais qu'un film d'isolation de grille agencé dans la région de périphérie externe ; d'un film d'isolation intercouche agencé sur le film d'isolation de champ, une électrode de grille et le film d'isolation de grille ; et d'un câblage de grille ainsi que d'une pastille de grille qui sont raccordés électriquement l'un à l'autre par le biais d'une première électrode principale agencée sur le film d'isolation inter-couche et de l'électrode de grille agencée sur le film d'isolation de champ. La troisième région d'impureté comporte une quatrième région d'impureté de second type d'électroconductivité disposée de façon sélective sur la section de couche supérieure de cette dernière, la quatrième région d'impureté présente une concentration d'impuretés plus élevée que celle de la troisième région d'impureté, le câblage de grille et la pastille de grille sont disposés dans la région de périphérie externe et la quatrième région d'impureté est disposée de façon adjacente à la région de disposition de cellule, disposée de sorte à entourer au moins la région en dessous de la pastille de grille, et raccordée électriquement à la première électrode principale.
(JA) 本発明は炭化珪素半導体装置に関し、ユニットセルが配置されるセル配置領域の外周となる外周領域に配設された、第2導電型の第3の不純物領域と、外周領域に配設されたゲート絶縁膜よりも厚いフィールド絶縁膜と、フィールド絶縁膜、ゲート電極およびゲート絶縁膜上に配設された層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に配設された第1の主電極とフィールド絶縁膜上に配設されたゲート電極を介して、互いに電気的に接続されたゲート配線およびゲートパッドとを備え、第3の不純物領域は、その上層部に選択的に設けられた、第3の不純物領域よりも不純物濃度が高い第2導電型の第4の不純物領域を有し、ゲート配線およびゲートパッドは、外周領域に設けられ、第4の不純物領域は、セル配置領域に隣り合って設けられると共に、少なくともゲートパッドの下方の領域を囲むように設けられ第1の主電極と電気的に接続されている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)