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1. (WO2018055704) 半導体装置およびその製造方法

Pub. No.:    WO/2018/055704    International Application No.:    PCT/JP2016/077889
Publication Date: Fri Mar 30 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Thu Sep 22 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 21/336
H01L 29/788
H01L 29/792
Applicants: TOSHIBA MEMORY CORPORATION
東芝メモリ株式会社
Inventors: SAKAMOTO, Wataru
坂本 渉
NAKAKI, Hiroshi
中木 寛
ISHIHARA, Hanae
石原 英恵
Title: 半導体装置およびその製造方法
Abstract:
実施形態の半導体装置は、積層体と、第1絶縁層と、第1、第2階段部2と、第2絶縁層46とを含む。積層体は、第1電極層41(WLDD)と、第2電極層41(SGD)とを含む。第1、第2階段部2は、第1端部領域101と、第2端部領域102とに設けられる。第2絶縁層46は、X方向に延びる。第2絶縁層は、第2電極層41(SGD)をX方向に沿って分離する。第2絶縁層46のX方向に沿った長さL1は、第2電極層41(SGD)のX方向に沿った長さL2よりも長く、第1電極層41(WLDD)のX方向に沿った長さL3よりも短い。