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1. (WO2018055704) 半導体装置およびその製造方法
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国際公開番号: WO/2018/055704 国際出願番号: PCT/JP2016/077889
国際公開日: 29.03.2018 国際出願日: 21.09.2016
IPC:
H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/788 (2006.01) ,H01L 29/792 (2006.01)
[IPC code unknown for H01L 21/336][IPC code unknown for H01L 29/788][IPC code unknown for H01L 29/792]
出願人:
東芝メモリ株式会社 TOSHIBA MEMORY CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝浦一丁目1番1号 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058001, JP
発明者:
坂本 渉 SAKAMOTO, Wataru; JP
中木 寛 NAKAKI, Hiroshi; JP
石原 英恵 ISHIHARA, Hanae; JP
代理人:
日向寺 雅彦 HYUGAJI, Masahiko; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置およびその製造方法
要約:
(EN) The semiconductor device according to an embodiment includes a laminate, a first insulating layer, first and second step parts 2, and a second insulating layer 46. The laminate includes a first electrode layer 41 (WLDD) and a second electrode layer 41 (SGD). The first and second step parts 2 are provided to a first end-section region 101 and a second end-section region 102. The second insulating layer 46 extends in the X-direction. The second insulating layer divides the second electrode layer 41 (SGD) along the X-direction. The length L1 of the second insulating layer 46 along the X-direction is greater than the length L2 of the second electrode layer 41 (SGD) along the X-direction and less than the length L3 of the first electrode layer 41 (WLDD) along the X-direction.
(FR) Selon un mode de réalisation de la présente invention, un dispositif à semi-conducteur comprend un stratifié, une première couche isolante, des première et seconde parties gradins (2), et une seconde couche isolante (46). Le stratifié comprend une première couche d'électrode (41) (WLDD) et une seconde couche d'électrode (41) (SGD). Les première et seconde parties gradins (2) se trouvent sur une première région de section d'extrémité (101) et une seconde région de section d'extrémité (102). La seconde couche isolante (46) s'étend dans la direction X et divise la seconde couche d'électrode (41) (SGD) le long de la direction X. La longueur L1 de la seconde couche isolante (46) le long de la direction X est supérieure à la longueur L2 de la seconde couche d'électrode (41) (SGD) le long de la direction X et inférieure à la longueur L3 de la première couche d'électrode (41) (WLDD) le long de la direction X.
(JA) 実施形態の半導体装置は、積層体と、第1絶縁層と、第1、第2階段部2と、第2絶縁層46とを含む。積層体は、第1電極層41(WLDD)と、第2電極層41(SGD)とを含む。第1、第2階段部2は、第1端部領域101と、第2端部領域102とに設けられる。第2絶縁層46は、X方向に延びる。第2絶縁層は、第2電極層41(SGD)をX方向に沿って分離する。第2絶縁層46のX方向に沿った長さL1は、第2電極層41(SGD)のX方向に沿った長さL2よりも長く、第1電極層41(WLDD)のX方向に沿った長さL3よりも短い。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)