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1. (WO2018055693) 半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2018/055693    国際出願番号:    PCT/JP2016/077826
国際公開日: 29.03.2018 国際出願日: 21.09.2016
IPC:
H01L 21/28 (2006.01)
出願人: SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
発明者: FUKUDA Yusuke; (JP)
代理人: TANAI Sumio; (JP).
MATSUNUMA Yasushi; (JP).
KOMURO Toshio; (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置
要約: front page image
(EN)This semiconductor device is provided with: a semiconductor layer of silicon carbide with a primary surface on which multiple layers are arranged; an electrode layer which is one of the aforementioned multiple layers, is constituted mainly of silver, and has an electrode connection surface to which a conductive connection member is connected; and a first metal layer which is one of the aforementioned multiple layers other than the aforementioned electrode layer, is constituted mainly of titanium carbide, and has a first bonding surface bonded to the electrode layer such that the electrode connection surface is externally exposed, and a second bonding surface electrically connected to the semiconductor layer.
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui est pourvu : d'une couche semi-conductrice de carbure de silicium ayant une surface primaire sur laquelle de multiples couches sont agencées ; d'une couche d'électrode qui est l'une des multiples couches susmentionnées, est constituée principalement d'argent, et comporte une surface de connexion d'électrode à laquelle un élément de connexion conducteur est raccordé ; et d'une première couche métallique qui est l'une des multiples couches susmentionnées autre que la couche d'électrode susmentionnée, est constituée principalement de carbure de titane, et comporte une première surface de liaison liée à la couche d'électrode de telle sorte que la surface de connexion d'électrode soit exposée à l'extérieur, et une seconde surface de liaison raccordée électriquement à la couche semi-conductrice.
(JA)半導体装置は、主面側に複数の層が配置された炭化ケイ素の半導体層と、前記複数の層のうちの1つの層であり、導電性の接続部材が接続される電極接続面を有し、銀を主成分として構成された電極層と、前記複数の層のうちの前記電極層とは異なる1つの層であり、前記電極接続面が外部に露出されるようにして前記電極層に接合される第1接合面と、前記半導体層に電気的に接続される第2接合面とを有し、炭化チタンを主成分として構成された第1金属層とを備える。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)