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1. (WO2018055674) 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

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国際公開番号:    WO/2018/055674    国際出願番号:    PCT/JP2016/077698
国際公開日: 29.03.2018 国際出願日: 20.09.2016
IPC:
H01L 21/316 (2006.01), C23C 16/455 (2006.01), H01L 21/31 (2006.01)
出願人: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 15-12, Nishi-shimbashi 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1058039 (JP)
発明者: HORITA, Hideki; (JP).
TERASAKI, Masato; (JP)
代理人: PATENT PROFESSIONAL CORPORATION IPWIN; Portside Daiya Building, 10-35 Sakae-cho, Kanagawa-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2210052 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS, AND PROGRAM
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS, APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROGRAMME
(JA) 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
要約: front page image
(EN)The present invention suppresses adverse effects to a base due to a reaction gas. This method for manufacturing a semiconductor device has: a step for forming an amorphous seed layer on a substrate by supplying the substrate with a gaseous starting material; a step for polycrystallizing the seed layer by heat-treating the seed layer; and a step for forming an oxide film on the polycrystallized seed layer, and oxidizing the polycrystallized seed layer by performing predetermined times a cycle, in which a step for supplying the substrate with the gaseous starting material, and a step for supplying the substrate with an oxygen-containing gas and a hydrogen-containing gas are performed non-simultaneously.
(FR)La présente invention supprime les effets néfastes sur une base due à un gaz de réaction. Ce procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur comprend : une étape consistant à former une couche de germe amorphe sur un substrat en fournissant le substrat à un matériau de départ gazeux; une étape de polycristallisation de la couche de germe par traitement thermique de la couche de germe; et une étape de formation d'un film d'oxyde sur la couche de germe polycristallisée, et une oxydation de la couche de germe polycristallisée par temps prédéterminés en cycle , dans lequel une étape consistant à fournir au substrat un matériau de départ gazeux, et une étape consistant à fournir au substrat un gaz contenant de l'oxygène et un gaz contenant de l'hydrogène sont effectués de manière non simultanée.
(JA)反応ガスによる下地への悪影響を抑制する。 基板に対して原料ガスを供給することで、基板上にアモルファス状態のシード層を形成する工程と、シード層を熱処理することで、シード層を多結晶化させる工程と、基板に対して原料ガスを供給する工程と、基板に対して酸素含有ガスおよび水素含有ガスを供給する工程と、を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、多結晶化させたシード層上に酸化膜を形成するとともに、多結晶化させたシード層を酸化する工程と、を有する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)