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1. (WO2018052098) 半導体装置およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2018/052098    国際出願番号:    PCT/JP2017/033361
国際公開日: 22.03.2018 国際出願日: 14.09.2017
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01), H01L 29/861 (2006.01), H01L 29/868 (2006.01)
出願人: FUJI ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530 (JP)
発明者: NAITO Tatsuya; (JP)
代理人: RYUKA IP LAW FIRM; 22F, Shinjuku L Tower, 1-6-1, Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo 1631522 (JP)
優先権情報:
2016-180025 14.09.2016 JP
2017-154304 09.08.2017 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 半導体装置およびその製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is a semiconductor device provided with contact trenches. The semiconductor device is provided with: a semiconductor substrate; a first conductivity type drift region which is provided to the upper surface side of the semiconductor substrate; a second conductivity type base region which is provided above the drift region; a first conductivity type source region which is provided above the base region; two or more trench portions which are provided so as to pass through the source region and the base region from the upper end side of the source region; the contact trenches which are provided adjacent to the source region, and between adjacent trench portions; and a second conductivity type contact layer which is provided below the contact trenches. The position of the peak doping concentration of the contact layer is shallower than the lower end of the source region.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur pourvu de tranchées de contact. Le dispositif à semi-conducteur comprenant: un substrat semi-conducteur; une région de dérive de premier type de conductivité qui est disposée sur la surface latérale supérieure du substrat semi-conducteur; une région de base de second type de conductivité qui est disposée au-dessus de la région de dérive; une région de source de premier type de conductivité qui est disposée au-dessus de la région de base; au moins deux portions de tranchée qui sont disposées de façon à passer à travers la région de source et la région de base à partir du côté d'extrémité supérieure de la région de source; les tranchées de contact qui sont disposées adjacentes à la région de source, et entre des portions de tranchée adjacentes; et une couche de contact de second type de conductivité qui est disposée au-dessous des tranchées de contact. La position de la concentration de dopage de pic de la couche de contact est moins profonde que l'extrémité inférieure de la région de source.
(JA)コンタクトトレンチを有する半導体装置を提供する。半導体基板と、半導体基板の上面側に設けられた第1導電型のドリフト領域と、ドリフト領域の上方に設けられた第2導電型のベース領域と、ベース領域の上方に設けられた第1導電型のソース領域と、ソース領域の上端側から、ソース領域およびベース領域を貫通して設けられた2以上のトレンチ部と、隣接するトレンチ部の間において、ソース領域と隣接して設けられたコンタクトトレンチと、コンタクトトレンチの下方に設けられた第2導電型のコンタクト層とを備え、コンタクト層のドーピング濃度のピーク位置がソース領域の下端よりも浅い半導体装置を提供する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)