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1. (WO2018051930) レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びその形成方法並びにパターニングされた基板の製造方法
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国際公開番号: WO/2018/051930 国際出願番号: PCT/JP2017/032592
国際公開日: 22.03.2018 国際出願日: 08.09.2017
IPC:
G03F 7/11 (2006.01) ,C07D 265/12 (2006.01) ,C07D 265/14 (2006.01) ,C07D 413/14 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
09
構造の細部,例.支持体,補助層,に特徴のあるもの
11
被覆層又は中間層,例.下塗層をもつもの
C 化学;冶金
07
有機化学
D
複素環式化合物(高分子化合物C08)
265
異項原子として1個の窒素原子と1個の酸素原子のみをもつ6員環を含有する複素環式化合物
04
1,3―オキサジン;水素添加した1,3―オキサジン
12
炭素環または環系と縮合したもの
C 化学;冶金
07
有機化学
D
複素環式化合物(高分子化合物C08)
265
異項原子として1個の窒素原子と1個の酸素原子のみをもつ6員環を含有する複素環式化合物
04
1,3―オキサジン;水素添加した1,3―オキサジン
12
炭素環または環系と縮合したもの
14
1個の6員環と縮合したもの
C 化学;冶金
07
有機化学
D
複素環式化合物(高分子化合物C08)
413
2個以上の複素環を含有し,そのうち少なくても1個が異項原子として窒素と酸素原子のみをもつ複素環式化合物
14
3個以上の複素環を含有するもの
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20
露光;そのための装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
出願人:
JSR株式会社 JSR CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区東新橋一丁目9番2号 9-2, Higashi-Shinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058640, JP
発明者:
高梨 和憲 TAKANASHI Kazunori; JP
中津 大貴 NAKATSU Hiroki; JP
酒井 一憲 SAKAI Kazunori; JP
三浦 一裕 MIURA Ichihiro; JP
代理人:
天野 一規 AMANO Kazunori; JP
優先権情報:
2016-18154216.09.2016JP
2017-05420921.03.2017JP
発明の名称: (EN) COMPOSITION FOR FORMING RESIST LOWER-LAYER FILM, RESIST LOWER-LAYER FILM AND METHOD FOR FORMING SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING PATTERNED SUBSTRATE
(FR) COMPOSITION PERMETTANT DE FORMER UN FILM DE COUCHE INFÉRIEURE DE RÉSERVE, FILM DE COUCHE INFÉRIEURE DE RÉSERVE ET SON PROCÉDÉ DE FORMATION, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT À MOTIFS
(JA) レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びその形成方法並びにパターニングされた基板の製造方法
要約:
(EN) The purpose of the present invention is to provide: a composition for forming a resist lower-layer film that allows the formation of a resist lower-layer film with outstanding flatness and outstanding solvent resistance and etching resistance; a resist lower-layer film and a method for forming the resist lower-layer film; and a method for manufacturing a patterned substrate. The present invention is a composition for forming a resist lower-layer film that contains a solvent and a first compound that includes an oxazine ring fused to an aromatic ring. It is preferable for the first compound to have a partial structure represented by formula (1). In formula (1), R2-R5 are each independently a hydrogen atom or a monovalent organic group with a carbon number of 1-20. Ar1 is a group in which hydrogen atoms on (n + 3) or (n + 2) aromatic rings are excluded from an arene with a carbon number of 6-20. R6 is a hydroxy group, a halogen atom, a nitro group, or a monovalent organic group with a carbon number of 1-20. n is an integer between 0-9.
(FR) Le but de la présente invention est de fournir : une composition permettant de former un film de couche inférieure de réserve qui permet la formation d'un film de couche inférieure de réserve présentant une planéité remarquable et une remarquable résistance aux solvants et une excellente résistance à la gravure ; un film de couche inférieure de réserve et un procédé de formation du film de couche inférieure de réserve ; et un procédé de fabrication d'un substrat à motifs. La présente invention concerne une composition permettant de former un film de couche inférieure de réserve qui contient un solvant et un premier composé qui comprend un cycle oxazine fusionné à un cycle aromatique. Il est préférable que le premier composé ait une structure partielle représentée par la formule (1). Dans la formule (1), R2 à R5 sont chacun indépendamment un atome d'hydrogène ou un groupe organique monovalent ayant de 1 à 20 atomes de carbone. Ar1 est un groupe dans lequel des atomes d'hydrogène sur des cycles aromatiques (n + 3) ou (n + 2) sont exclus d'un arène ayant de 6 à 20 atomes de carbone. R6 est un groupe hydroxy, un atome d'halogène, un groupe nitro, ou un groupe organique monovalent ayant de 1 à 20 atomes de carbone. n est un nombre entier compris entre 0 et 9.
(JA) 平坦性に優れると共に溶媒耐性及びエッチング耐性に優れるレジスト下層膜を形成できるレジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びその形成方法並びにパターニングされた基板の製造方法の提供を目的とする。本発明は、芳香環に縮合したオキサジン環を有する第1化合物と、溶媒とを含有するレジスト下層膜形成用組成物である。上記第1化合物は、下記式(1)で表される部分構造を有することが好ましい。下記式(1)中、R~Rは、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数1~20の1価の有機基である。Arは、炭素数6~20のアレーンから(n+3)個又は(n+2)個の芳香環上の水素原子を除いた基である。Rは、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基又は炭素数1~20の1価の有機基である。nは、0~9の整数である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)