WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2018051728) シリコンウェーハの熱処理方法及びシリコンウェーハの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2018/051728    国際出願番号:    PCT/JP2017/029711
国際公開日: 22.03.2018 国際出願日: 21.08.2017
IPC:
H01L 21/322 (2006.01)
出願人: SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
発明者: TAMATSUKA Masaro; (JP).
KIKUCHI Hiroyasu; (JP)
代理人: YOSHIMIYA Mikio; (JP).
KOBAYASHI Toshihiro; (JP)
優先権情報:
2016-178766 13.09.2016 JP
発明の名称: (EN) SILICON WAFER HEAT-TREATMENT METHOD AND MANUFACTURING METHOD FOR SILICON WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT THERMIQUE DE TRANCHE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE DE SILICIUM
(JA) シリコンウェーハの熱処理方法及びシリコンウェーハの製造方法
要約: front page image
(EN)The present invention is a silicon wafer heat-treatment method, whereby: a silicon wafer is introduced into a heat treatment furnace and heated to a temperature of 1000 to 1350°C; a first heat treatment is performed at the heated temperature for at least 30 minutes in a non-oxidizing gas atmosphere excluding nitrogen gas; and a second heat treatment is performed before the temperature starts to drop from the temperature at which the first heat treatment was performed or while the temperature is dropping from the temperature at which the first heat treatment was performed, a portion or all of the second heat treatment being performed with the heat treatment furnace being a nitrogen gas atmosphere or a mixed gas atmosphere of nitrogen gas and a non-oxidizing gas. Due to this configuration, provided is a silicon wafer heat-treatment method capable of controlling the density of BMD directly below the DZ layer to be at a high density of at least 1×109/cm3, without needing to perform a heat treatment for a long time at a high temperature, as in a process in which a BMD nucleus is formed via RTA and a BMD nucleus growth heat treatment is performed thereafter, for example.
(FR)La présente invention concerne un procédé de traitement thermique de tranche de silicium, au moyen duquel : une tranche de silicium est introduite dans un four de traitement thermique et chauffée à une température de 1 000 à 1 350 °C; un premier traitement thermique est effectué à la température chauffée pendant au moins 30 minutes dans une atmosphère de gaz non oxydant à l'exclusion de l'azote gazeux; et un second traitement thermique est effectué avant que la température ne commence à chuter à partir de la température à laquelle le premier traitement thermique a été effectué ou pendant que la température chute à partir de la température à laquelle le premier traitement thermique a été effectué, une partie ou la totalité du second traitement thermique étant effectuée avec le four de traitement thermique qui présente une atmosphère d'azote gazeux ou une atmosphère de gaz mixte d'azote gazeux et d'un gaz non oxydant. Grâce à cette configuration, l'invention concerne un procédé de traitement thermique de tranche de silicium capable de réguler la densité de BMD directement sous la couche DZ pour qu'elle soit à une densité élevée d'au moins 1×109/cm3, sans avoir besoin d'effectuer un traitement thermique pendant une longue période à une température élevée, comme dans un procédé dans lequel un noyau BMD est formé par RTA et un traitement thermique de croissance de noyau BMD est ensuite effectué, par exemple.
(JA)本発明は、シリコンウェーハを熱処理炉内に投入し、1000℃以上1350℃以下の温度まで昇温して、該昇温した温度において、窒素ガス以外の非酸化性ガス雰囲気中で30分以上の第1の熱処理を行った後、該第1の熱処理を行った温度からの降温開始前あるいは前記第1の熱処理を行った温度から降温する途中の温度で第2の熱処理を行い、前記第2の熱処理の一部又は全部を、前記熱処理炉内を窒素ガス雰囲気あるいは窒素ガスと非酸化性ガスとの混合ガス雰囲気にして行うシリコンウェーハの熱処理方法である。これにより、例えばRTAによるBMD核形成及びその後に行うBMD核成長熱処理のプロセスのように、高温長時間の熱処理を行うことなく、DZ層直下のBMD密度を1×10/cm以上という高密度にコントロールすることができるシリコンウェーハの熱処理方法が提供される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)