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1. (WO2018051512) MOSFET及び電力変換回路
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2018/051512 国際出願番号: PCT/JP2016/077568
国際公開日: 22.03.2018 国際出願日: 16.09.2016
IPC:
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 29/06 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
02
半導体本体
06
半導体本体の形状に特徴のあるもの;半導体領域の形状,相対的な大きさまたは配列に特徴のあるもの
出願人:
新電元工業株式会社 SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区大手町二丁目2番1号 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP
発明者:
新井 大輔 ARAI, Daisuke; JP
久田 茂 HISADA, Shigeru; JP
北田 瑞枝 KITADA, Mizue; JP
浅田 毅 ASADA, Takeshi; JP
代理人:
松尾 誠剛 MATSUO, Nobutaka; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) MOSFET AND POWER CONVERSION CIRCUIT
(FR) MOSFET ET CIRCUIT DE CONVERSION DE PUISSANCE
(JA) MOSFET及び電力変換回路
要約:
(EN) The present invention provides a MOSFET used in a power conversion circuit provided with a reactor, a power supply, a MOSFET 100, and a rectification element. The MOSFET 100 comprises a semiconductor base member 110 including an n-type column area 114 and a p-type column area 116, the n-type column area 114 and the p-type column area 116 configuring a super junction structure. The n-type column area 114 and the p-type column area 116 are formed such that the p-type column area 116 has an impurity total amount greater than an impurity total amount of the n-type column area 114. When turned on, the MOSFET operates such that at the center of the n-type column area 114 as viewed in plan, a low electric field area appears in which the electric field intensity is lower than in the areas other than the center of the n-type column area 114. With the MOSFET of the present invention, it becomes possible to make oscillations less likely to occur in the MOSFET when the MOSFET is turned on, and to reduce a surge voltage across the rectification element.
(FR) La présente invention concerne un MOSFET utilisé dans un circuit de conversion de puissance comprenant un réacteur, une alimentation électrique, un MOSFET 100 et un élément de redressement. Le MOSFET 100 comprend un élément de base semi-conducteur 110 comprenant une zone de colonne de type n 114 et une zone de colonne de type p 116, la zone de colonne de type n 114 et la zone de colonne de type p 116 formant une structure de super-jonction. La zone de colonne de type n 114 et la zone de colonne de type p 116 sont formées de telle sorte que la zone de colonne de type p 116 a une quantité totale d'impuretés supérieure à une quantité totale d'impuretés de la zone de colonne de type n 114. Lorsqu'il est allumé, le MOSFET fonctionne de telle sorte qu'au centre de la zone de colonne de type n 114, vue en plan, une zone de champ électrique faible apparaît dans laquelle l'intensité de champ électrique est inférieure à celle dans les zones autres que le centre de la zone de colonne de type n 114. Avec le MOSFET de la présente invention, il devient possible de rendre des oscillations moins susceptibles de se produire dans le MOSFET lorsque le MOSFET est allumé, et de réduire une surtension à travers l'élément de redressement.
(JA) 本発明のMOSFET100は、リアクトルと、電源と、MOSFET100と、整流素子とを備える電力変換回路に用いるMOSFETであって、n型コラム領域114及びp型コラム領域116を有し、n型コラム領域114及びp型コラム領域116でスーパージャンクション構造が構成されている半導体基体110を備え、n型コラム領域114及びp型コラム領域116は、p型コラム領域116の不純物総量がn型コラム領域114の不純物総量よりも高くなるように形成され、MOSFETをターンオンしたとき、平面的に見てn型コラム領域114の中央に、n型コラム領域114の中央以外の領域よりも電界強度が低い低電界領域が出現するように動作する。 本発明のMOSFETによれば、MOSFETをターンオンしたときに、MOSFETに発振を生じ難くすることができ、かつ、整流素子のサージ電圧を低減することができる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)