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1. (WO2018051472) SiCエピタキシャル成長炉系における三フッ化塩素クリーニング残渣除去方法

Pub. No.:    WO/2018/051472    International Application No.:    PCT/JP2016/077330
Publication Date: Fri Mar 23 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Fri Sep 16 01:59:59 CEST 2016
IPC: C30B 29/36
C23C 16/42
C23C 16/44
C30B 25/14
Applicants: IWATANI CORPORATION
岩谷産業株式会社
Inventors: MANABE Toshiki
真鍋 俊樹
ONO Ryoei
小野 良英
SHOJO Tadashi
荘所 正
Title: SiCエピタキシャル成長炉系における三フッ化塩素クリーニング残渣除去方法
Abstract:
SiCエピタキシャル成長炉系におけるクリーニング時間を短縮するとともに、SiC成膜を促進する。 SiC成膜を行うエピタキシャル成長炉とその排気配管とを含むSiCエピタキシャル成長炉系を三フッ化塩素ガスによりクリーニングした後に排気配管内に付着残留した三フッ化塩素クリーニング残渣を除去する方法である。三フッ化塩素ガスによるクリーニング終了後、SiC成膜工程においてエピタキシャル成長炉内に原料ガスとともに塩化水素ガスを導入する。これにより、SiCの成膜を行うとともに、その処理済みガスを排気配管に流す。この処理済みガスには、水素分子や水素ラジカル等が含まれているため、これらにより排気配管内の三フッ化塩素クリーニング残渣は除去されることになる。