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1. (WO2018051412) 半導体装置

Pub. No.:    WO/2018/051412    International Application No.:    PCT/JP2016/076978
Publication Date: Fri Mar 23 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Wed Sep 14 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 27/08
H01L 21/336
H01L 29/06
H01L 29/78
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: YOSHINO, Manabu
吉野 学
Title: 半導体装置
Abstract:
リサーフ分離構造が、ハイサイド回路領域の外周を囲い、ハイサイド回路領域とローサイド回路領域を分離する。リサーフ分離構造は、高耐圧分離、高耐圧NchMOS及び高耐圧PchMOSを有する。高耐圧分離、高耐圧NchMOS及び高耐圧PchMOSは、複数のフィールドプレート(9,19a,19b,19c)を有する。高耐圧PchMOSにおける最もローサイド回路領域側のフィールドプレート(19c)の内端部は、高耐圧NchMOSにおける最もローサイド回路領域側のフィールドプレート(19b)の内端部よりもローサイド回路領域側に位置する。